Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U001704, 0112U005136 , Науково-дослідна робота Назва роботи Технологія отримання і фізичні властивості графену та графеноподібних структур Назва етапу роботи Керівник роботи Стріха М.В., Дата реєстрації 24-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Вперше побудовано кількісну модель явища антигістерезису в опорі каналу графену на підкладці Pb(ZrxTi1-x)O3 з урахуванням захоплення електронів з легованого графену на інтерфейсні стани і екранування ними електричного поля в підкладці, яка пояснила наявні експериментальні дані. Теоретично показано, що явище антигістерезису в залежності концентрації електронів у графеновому каналі системи "графен-сегнетоелектрик-затвор" від напруги на затворі виявляється не лише в гістерезисній залежності провідності, але і в оптичних характеристиках, що може стати основою для створення бістабільних швидкодійних оптичних систем для оптоелектронних застосувань. З використанням спектроскопії комбінаційного розсіяння (СКР) вперше в Україні було здійснено експериментальну характеризацію одно- і багатошарового графену. При низьких потужностях збудження відсутність піку D в СКР вказує на відсутність значної кількості структурних дефектів. Було встановлено, що моди СКР, зумовлені непружним розсіянням на фононах з хвильовими векторами, що відповідають краю зони Бріллюена, з участю структурних дефектів і деформацій одношарового графену, виникають і збільшуються при потужностях збудження більших від 4 мВт. Опис продукції Вперше побудовано кількісну модель явища антигістерезису в опорі каналу графену на підкладці Pb(ZrxTi1-x)O3 з урахуванням захоплення електронів з легованого графену на інтерфейсні стани і екранування ними електричного поля в підкладці, яка пояснила наявні експериментальні дані. Теоретично показано, що явище антигістерезису в залежності концентрації електронів у графеновому каналі системи "графен-сегнетоелектрик-затвор" від напруги на затворі виявляється не лише в гістерезисній залежності провідності, але і в оптичних характеристиках, що може стати основою для створення бістабільних швидкодійних оптичних систем для оптоелектронних застосувань. З використанням спектроскопії комбінаційного розсіяння (СКР) вперше в Україні було здійснено експериментальну характеризацію одно- і багатошарового графену. При низьких потужностях збудження відсутність піку D в СКР вказує на відсутність значної кількості структурних дефектів. Автори роботи Алєйнікова А.Б. Бєляєв О.Є. Кисельов В.С. Кочелап В.О. Ніколенко А.С. Наумов А.В. Райчев О.Е. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити