Реєстраційний номер
0213U001716,
0112U005334
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка і дослідження нових нелінійних елементів наноелектроніки на основі нанорозмірних контактів надпровідник-феромагнетик-надпровідник.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Білоголовський Михайло Олександрович,
Дата реєстрації
25-01-2013
Організація виконавець
Державний науково-дослідний центр "Фонон"
Опис етапу
Методами теорії функціонала густини виконані розрахунки зонної структури нанодротів заліза з поперечними розмірами від мінімального, що відповідає одноатомному ланцюжку, до діаметрів близько 8 нанометрів. Виконані чисельні розрахунки хонної структури феромагнітного нікелю, оцінені його електронні характеристики і зроблений остаточний вибір на користь нікелю, як феромагнітного матеріалу, і ніобію, як надпровідника, для вказаних тришарових гетероструктур. Виготовлені подвійні контакти нікелю з ніобієм та багатошарові структури на їх основі. Проведені теоретичні та експериментальні дослідження електронного транспорту у нанорозмірних подвійних шарах феромагнетик-надпровідник (на прикладі контактів нікелю з ніобієм та молібден ренієм). Проведені експериментальні дослідження нелінійних властивостей однорідних і неоднорідних нанопереходів Джозефсона із феромагнітним прошарком. Розглянуті експерименти були спрямовані як на визначення залежності струм-фаза SFS-переходів так і на дослідження спонтанного потоку в надпровідних контурах, що містять SFS-переходи в -стані. Досліджені 0- переходи в неоднорідних нанопереходах Джозефсона надпровідник-феромагнітний метал-надпровідник.
Опис продукції
Виявлена принципова відмінність квазічастинкового транспорту у одно- та двовимірних феромагнітних шарах від фізичних механізмів, домінуючих в об'ємних магнітних провідниках. Виготовлені та досліджені транспортні характеристики тунельних структур на основі подвійних шарів феромагнітного нікелю і надпровідного ніобію. Розроблена та реалізована оригінальна методика одержання одиночних джозефсонівських -контактів надпровідник-феромагнетик-надпровідник для потреб наноелектроніки.
Автори роботи
Бондарчук С.А.
Весна Г.В.
Воронько А.О.
Гайдей В.О.
Глуговський С.Б.
Голуб В.В.
Горб В.М.
Гудим В.А.
Кабанов О.В.
Ларкіна А.С.
Малкуш І.Ф.
Сілакова Т.Т.
Самойленко Т.С.
Сусь Б.А.
Туз О.Д.
Федорова Л.Б.
Хатнюк О.Б.
Яцик П.О.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
