Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002171, 0112U005294 , Науково-дослідна робота Назва роботи Оптимізація органічних польових транзисторів. Назва етапу роботи Керівник роботи Кадащук Андрій Костянтинович, Дата реєстрації 16-01-2013 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Метою НДР було комплексне дослідження впливу поздовжнього електричного поля і механічного напруження на транспорт заряду в каналі провідності польового транзистора (ОПТ) виготовленого на основі тонкої полікристалічної плівки органічного напівпровідникового матеріалу. Вперше для ОПТ на основі похідної пентацену експериментально виявлена польова залежність рухливості в діапазоні слабких латеральних полів, і прямим методом, за допомогою тунельної мікроскопії, доказано, що така поведінка рухливості обумовлена великою різницею локальної провідності внутри кристалітів та на їх границях, що призводить до перерозподілу інжектованого заряду і утворенню сильних локальних полів на границях кристалічних зерен. В наближенні ефективного середовища була розвинена і апробована теоретична модель, яка дозволяє кількісно точно моделювати залежність характеристик транспорту заряду від латерального електричного поля в каналі ОПТ на основі полікристалічних матеріалів. Вперше виявлено і досліджено вплив напруження стиснення та розтягування на ефективність переносу заряду в каналі ОПТ на основі полікристалічної плівки напівпровідника n-типу С60 нанесеної епітаксією на гнучку діелектричну підкладку. Встановлено, що вольт-амперні характеристики таких ОПТ і вирахувана з них рухливість електронів можуть змінюватись при деформації плівки С60 в широких межах в залежності від напрямку та знаку механічного напруження по відношенню до напрямку електричного струму. При цьому максимальні відносні зміни рухливості під дією деформації майже на порядок вищі в порівнянні із аналогічними даними для ОПТ з провідністю діркового типу на основі пентацену. Теоретичний аналіз в рамках розширеної моделі стрибкового транспорту носіїв заряду в розупорядкованих середовищах показав, що виявлений ефект і його анізотропія обумовлені головним чином зміною імовірності тунелювання носіїв заряду крізь міжкристалітні бар'єри в плівці С60 внаслідок їх спотворення в результаті взаємного зближення або віддалення кристалітів. Опис продукції Аналітична модель, яка дозволяє пояснити і кількісно точно описати залежність рухливості носіїв заряду в каналі польових транзисторів (ОПТ) на основі органічних полікристалічних плівок від поздовжнього електричного поля, температури, концентрації носіїв з врахуванням структурних параметрів плівок. Дослідження впливу механічного напруження стиснення/розтягування та неоднорідності напруженості поздовжнього поля в каналі ОПТ на транспорт заряду в цих пристроях. Автори роботи Вахнін Олександр Юрійович Кадащук Андрій Костянтинович Фіщук Іван Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити