Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002282, 0110U002160 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка математичних моделей мікроелектронних частотних перетворювачів магнітного поля на основі транзисторних структур з від'ємним опором Назва етапу роботи Керівник роботи Осадчук Володимир Степанович, Дата реєстрації 23-01-2013 Організація виконавець Вінницький національний технічний університет Опис етапу Науково-дослідна робота спрямована на розбудову теоретичних засад, розробку схем і конструкцій нового класу мікроелектронних частотних перетворювачів магнітного поля сумісних з мікроелектронною базою, принцип роботи яких оснований на функціональній залежності реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором від дії зовнішніх фізичних факторів, що створює основи для виготовлення конкурентноспроможних зразків цієї продукції. Метою роботи є покращення метрологічних показників мікроелектронних перетворювачів магнітного поля, зокрема завадостійкості, чутливості, точності вимірювання, технологічно сумісних з мікроелектронною елементною базою. Об'єктом дослідження є процес перетворення індукції магнітного поля у частотний сигнал, що дозволяє розв'язати задачу розбудови мікроелектронних магнітних частотних перетворювачів з поліпшеними метрологічними показниками. Предметом дослідження є статичні і динамічні характеристики мікроелектронних частотних перетворювачів індукції магнітного поля на основі реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором. Розроблено квазілінійні та нелінійні математичні моделі мікроелектронних частотних перетворювачів магнітного поля на основі транзисторних структур з від'ємним опором. Отримані аналітичні залежності функції перетворення і рівняння чутливості, а також співвідношення для інженерного розрахунку мікроелектронних частотних сенсорів магнітного поля на основі транзисторних структур з від'ємним опором. Опис продукції Запропоновано метод побудови нового класу мікроелектронних перетворювачів магнітного поля , принцип роботи яких оснований на функціональній залежності реактивних властивостей транзисторних структур з від'ємним опором від дії індукції магнітного поля. Розроблено математичні моделі мікроелектронних перетворювачів магнітного поля, в яких на відміну від існуючих враховано вплив магнітної індукції на елементи нелінійних еквівалентних схем перетворювачів. Вперше отримані на основі математичних моделей функції перетворення та рівняння чутливості мікроелектронних перетворювачів магнітного поля. Параметри розроблених сенсорів магнітного поля відповідають світовому рівню. Автори роботи Білилівська Ольга Петрівна Гаврілов Дмитро Володимирович Звягін Олександр Сергійович Нікешин Юрій Ігорович Осадчук Володимир Степанович Осадчук Олександр Володимирович Осадчук Ярослав Олександрович Семенов Андрій Олександрович Троценко Олена Олегівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити