Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002533, 0111U001385 , Науково-дослідна робота Назва роботи Удосконалення фотоелектричних характеристик сенсора на базі неідеального гетеропереходу Назва етапу роботи Керівник роботи Сминтина В. А., Дата реєстрації 30-01-2013 Організація виконавець Одеський національний університет ім. І. І. Мечникова. Наукова частина Опис етапу Розроблено методику удосконалення фотоелектричних характеристик сенсора на базі неідеального гетеропереходу за рахунок модифікації поверхні розподілу та приповерхневого шару для зменшення дози випромінювання при використанні такого сенсора для рентгенографічних досліджень. Розроблено методику використання впливу збільшення часу зберігання інформативного заряду (за рахунок обмеження його втрат шляхом зменшення впливу процесів тунельно-стрибкового струмопереносу зі змінною довжиною стрибка в приповерхневих шарах неідеального гетеропереходу сульфід кадмію-сульфід міді) на провідність області просторового заряду. Опис продукції Розроблені практичні рекомендації щодо збільшення чутливості сенсора оптичних та рентгенівських зображень з внутрішнім підсиленням на базі гетеропереходу сульфід кадмію-сульфід міді, збільшення часу зберігання інформативного заряду та збільшення динамічного діапазону сенсора будуть використані зацікавленими підприємствами та установами різного профілю.Створені макетні зразки сенсора з удосконаленими фотоелектричними характеристиками, що суттєво розширить можливості його використання в медичних установах , причому при використанні його при рентгенографічних дослідженнях за рахунок зниження дози випромінювання. Автори роботи Іванченко О.І. Балабан А. П. Борщак В. А. Куталова М. І. Лепіх Я. І. Сантоній В.І. Сантоній Г.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити