Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U002937, 0112U001901 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження ролі тунельної рекомбінації у випромінювальній релаксації активованих кристалів йодида цезію Назва етапу роботи Керівник роботи Трефілова Лариса Миколаївна, Кандидат фізико-математичних наук Дата реєстрації 18-02-2013 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис етапу Встановлено, що сцинтиляції в кристалах CsI:Tl і CsI:Na виникають внаслідок термоактивованого процесу тунельної рекомбінації в парах близьких активаторних центрів {Tl0Vk} і {Na0Vk}. Виявлено низькотемпературну гілку наростання сцинтиляцій у слабко-активованих кристалах CsI:Tl. Це наростання відповідає бімолекулярному процесу дірково-електронної рекомбінації Vk з Tl0-центрами та не спостерігається у сильно-легованих кристалах CsI:Tl. Отримано експериментальні докази того, що свічення Na+-центрів виникає внаслідок тунельної Na0-Vk рекомбінації з утворенням локалізованих екситонів в синглетному спіновому стані. Опис продукції Досліджені випромінювальні стани центрів свічення та механізми їх утворення в активованих кристалах CsI при збудженні іонізуючим випромінюванням. Встановлено, що сцинтиляції в кристалах CsI:Tl і CsI:Na виникають внаслідок термо-активованого процесу тунельної рекомбінації близьких пар дефектів (Tl0Vk) і (Na0Vk), в яких Tl0 і Vk центри являють собою електронні активаторні центри захвату, а Vk центр є автолокалізованою діркою. Отримані експериментальні докази того, що сцинтиляції в кристалах CsI:Tl і CsI:Na обумовлені не дірковою рекомбінацією нуль-градусних Vk-центрів з електронними активаторними центрами, як це вважалося раніше, а тунельною рекомбінацією близьких пар (Tl0Vk) і (Na0Vk), відповідно. Визначені енергії активації наростання сцинтиляційного імпульсу в кристалах CsI:CO3 і СsI:WO4, що становлять 0,07 і 0,09 еВ, відповідно. Автори роботи Алексєєв В.Д. Овчаренко Н.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити