Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U003389, 0112U003621 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка наукових основ технології темплетних наноструктур інтегральних оптоелектронних елементів на ІІІ-нітридах Назва етапу роботи Керівник роботи Осінський Володимир Іванович, Дата реєстрації 04-02-2013 Організація виконавець Державне підприємство "Науково-дослідний інститут мікроприладів" НТК "Інститут монокристалів" НАН України Опис етапу При виконанні проекту розроблені нанотехнології темплетних шарів на підкладках кремнію для створення на них гетероструктур ІІІ-нітридів p-n-переходами світлодіодних та фоточутливих елементів в діапазоні довжин хвиль 400-550 нм Опис продукції Нові високоефективні темплетні наноструктури інтегральних оптоелектронних елементів на ІІІ-нітридах, які одержані по технології отримання наноструктур "ініаційний шар - темплетний шар - епітаксійний шар" Автори роботи Ляхова Н.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити