Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004495, 0113U003226 , Науково-дослідна робота Назва роботи Надпровідні екситонні системи з рекордними параметрами на основі графену Назва етапу роботи Керівник роботи Філь Дмитро Вячеславович, Дата реєстрації 23-12-2013 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Встановлено, що структури альфа-графін- діелектрик- альфа-графін є більш перспективними ніж структури на основі звичайного графену для реалізації надпровідності просторово-непрямих екситонів при температурах близьких до кімнатних. Запропоновано структури на основі топологічних ізоляторів, спектр яких подібний до спектру графену, і в яких має місце надплинність магнітоекситонів. Перевагою є відсутність необхідності застосування електричного затвору для структур на основі топологічних ізоляторів Опис продукції Проведено аналіз гетероструктур, в яких можливо реалізувати надпровідність електрон-діркових пар з просторово-рознесеними компонентами. Розглянуто гетероструктури на основі моношарового графену. двошарового графену, алфа- графенів і плівок топологічних ізоляторів. Для цих систем розраховано температуру переходу. Визначено, що для досягнення високої температури потрібен підбір параметрів, який відповідає границі сильного зв'язку між електроном і діркою в парі. Критерієм сильного зв'язку є умова малості розміру електрон-діркових пар у порівнянні з середньою відстанню між парами Автори роботи Бродський Роман Євгенович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити