Реєстраційний номер
0213U004499,
0113U003230
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розробка технології одержання захисних високоомних шарів нанокристалічного карбіду кремнію для підвищення надійності твердотільних потужних приладів діапазону надвисоких частот
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Пузіков Вячеслав Михайлович,
Дата реєстрації
23-12-2013
Організація виконавець
Інститут монокристалів НАН України
Опис етапу
Встановлено умови формування гетерополітипних ne-SiC плівок.Вивчені вольтамперні та фотоелектричні характеристики гетероструктури n-SiC/n-Si. Досліджено умови підвищення діелектричних властивостей захисних плівок нанокристалічного карбіду кремнію. Встановлено,що введення в плівку в процесі її формування азоту в кількості 2 % ат. знижує електропровідність плівок на 2 порядку. Досліджені параметри ВАХ та ВФХ меза- структур кремнієвих високовольтних НВЧ p-i-n діодів з захищеною поверхнею в нормальних кліматичних умовах
Опис продукції
Встановлено умови формування гетерополітипних nc-SiC плівок. Вивчені вольтамперні та фотоелектричні характеристики гетероструктури n-SiC/n-Si/. Досліджено умови підвищення діелектричних властивостей захисних плівок нанокристалічного карбіду кремнію. Встановлено, що введення в плівку в процесі її формування азоту в кількості до 2% ат. знижує електропровідність плівок на 2 поряду. Досліджено параметри ВАХ та ВФХ меза- структур кремнієвих високовольтних НВЧ p-i-n діодів з захищеною поверхнею в нормальних кліматичних умовах
Автори роботи
Лопін Олександр Володимирович
Семенов Олександр Володимирович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
