Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004828, 0113U005001 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення базових нанотехнологій створення активних елементів джерел НВЧ-випромінювання в терагерцовому діапазоні на основі напівпровідникових структур A3B5 з наноструктурними буферними шарами і структурованими дифузійними бар'єрами Назва етапу роботи Керівник роботи Шеремет Володимир Миколайович, Дата реєстрації 27-12-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблена базова технологічна схема виготовлення чіпів активних елементів n+-n-n+ типу на основі епітаксійних структур GaN на високолегованій підкладці, проведене напрацювання технологічних процесів виготовлення таких чіпів. Проведені комплексні дослідження омічних контактів Pd-Ti-Pd-Au до епітаксійних шарів n+-GaN. На залежностях rc(T) спостерігаються ділянки експоненційного зменшення rc, а також ділянки дуже слабкої залежності rc(T) при вищих температурах. Крім того в низькотемпературній області для контакту Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, спостерігається ділянка насичення rc(T). З використанням розроблених контактних систем відпрацьовані техпроцеси виготовлення чіпів активних елементів на основі епітаксіальних структур GaN n+-n-n+ типу на високолегованій підкладці 4HSiC із захистом мезаструктури малого діаметру (~25 мкм) ізолюючою областю (r~10^10 Ом см), сформованою в шарі GaN методом іонної імплантації іонів гелію (Е~2,5 МеВ). Опис продукції Техпроцеси формування контактних структур з наноструктурованими дифузійними бар'єрами на їх основі. Базова конструкція чіпів активних елементів на основі структур n+ - n - n+ GaN для джерел випромінювання в діапазоні частот 90-110 ГГц. Автори роботи Конакова Раїса Ваислівна Кудрик Ярослав Ярославович Саченко Анатолій Васильович Шеремет Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити