Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U004829, 0113U005002 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення фізико-технологічних основ нанотехнологій виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 27-12-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу При виконанні проекту було запропоновано спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs із сходинкою легування, що захищений патентом України на корисну модель №83644 (Бюл. №18, 25.09.2013). Запропонований та реалізований в експерименті спосіб оцінки якості чипів діодів Ганна. Розроблено базовий технологічний маршрут виготовлення чипів діодів Ганна. Теоретично обґрунтовано та експериментально підтверджено механізм струмопереносу в омічних контактах до n-InP та n-GaAs в діапазоні температур 4,2-300 К з врахуванням обмеження електронного струму дифузійним підведенням та низькотемпературного виморожування електронів. В приконтактній області n-InP експериментально виявлена висока густина дислокацій, лінійна густина яких складає ~2,2·10^-4 см^-1. Опис продукції Нанотехнології виготовлення високоефективних діодів Ганна терагерцового діапазону на основі фосфідіндієвих епітаксійних структур з вбудованими буферними "еластичними" нанопористими шарами Автори роботи А.В.Саченко В.В.Мілєнін В.М.Шеремет Р.В.Конакова С.В.Новицький Я.Я.Кудрик Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити