Реєстраційний номер
0213U005113,
0111U001005
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Низькотемпературне одержання плівок карбіду кремнію з заданими властивостями для електроніки і оптоелектроніки
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Семенов Олександр Володимирович,
Дата реєстрації
11-03-2013
Організація виконавець
Інститут монокристалів НАН України
Опис етапу
Досліджено електрофізичні властивості плівок нанокристалічного карбіду кремнію ромбоедричного політипу 21R- SiC з розмірами нанокристалів 10-15 нм на підкладках з кремнію та гетероперехід між нанокристалічним карбідом кремнію і кремнієм з електронною провідностю. Досліджено зміни t поверхні нагрітої до 800гр.С підкладки і плівки SiC у процесі осадження іонів вуглецю і кремнію з енергією 120 еВ. Встановлено, що в початковий період росту плівки в умовах прямого осадження іонів присутні неконтрольовані зміни температури поверхні при незмінних технологічних параметрах
Опис продукції
Досліджено іонне осадження, рентгенівська дифракція, рентгенівська фотоелектронна спектроскопія, скануюча електронна мікроскопія, просвітлююча електронна мікроскопія, електронна дифракція, оптична спектроскопія.вимірювання електрофізичних властивостей. Досліджено зміни температури поверхні нагрітої до 800 гр. С підкладки і плівки SiС у процесі осадження іонів вуглецю і кремнію з енергією 120 еВ.
Автори роботи
Лопін Олександр Володимирович
Пузіков Вячеслав Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
