Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U005116, 0108U004820 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення принципово нових матеріалів, в тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла виликого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів; розроблення технологій отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем, Назва етапу роботи Керівник роботи Толмачов Олександр Володимирович, Дата реєстрації 11-03-2013 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Розроблені технології одержання і створені дослідні зразки нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів, сцинтиляційної нанокераміки на основі оксидів рідкісноземельних металів, підкладок з сапфіру для епітаксії А3В5 напівпровідників, іонно- плазмово напилених SiC тонкоплівкових структур Опис продукції Визначені умови одержання і розроблені технологічні регламенти створення емітерів світла на основі квантових точок халькогенідних напівпровідників та сцинтиляційних нанокерамік, високоякісних сапфірових підкладок з різною кристалографічною орієнтацією і поверхневою модифікацією для епітаксійного вирощування напівпровідників групи А3В5 в конструкціях світловипромінюючих гетероструктур (світлодіодів), плівок SiC для високотемпературних датчиків температури Автори роботи Саввін Юрій Миколаєвич Явецький Роман Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Створення принципово нових матеріалів, в тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла виликого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів; розроблення технологій отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем,
Керівник: Толмачов Олександр Володимирович. Створення принципово нових матеріалів, в тому числі наноматеріалів, компонентів для мікроелектроніки, в тому числі заходів: розроблення технології одержання нових напівпровідникових матеріалів на основі квантових точок халькогенідів для створення емітерів світла виликого і ближнього інфрачервоного діапазону (500-1400 нм) з регульованим спектром випромінювання. Виготовлення дослідних зразків світлодіодів; розроблення технології виготовлення нанокераміки на основі важких оксидів рідкісноземельних металів для реєстрації іонізуючого випромінювання. Розроблення технологічного регламенту виготовлення нанокераміки. Випуск дослідної партії сцинтиляційних елементів для реєстрації рентгенівських та гамма-квантів; розроблення технологій отримання високоякісних підкладок із сапфіру для структур кремній на сапфірі, для світлодіодів та інших комплектуючих приладів мікроелектроніки. Створення дослідно-промислової ділянки і виготовлення підкладок із кристалів, вирощених різними методами для великих інтегральних схем,. (Етап: ). Інститут монокристалів НАН України. № 0213U005116
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14


Роздрукувати цю сторінку