Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U005708, 0111U008996 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних основ створення наноструктурних матеріалів енерго-реакторобудування на базі сучасних високопродуктивних іонно-плазмових і активаційних методів поверхневої й об'ємної модифікації Назва етапу роботи Керівник роботи Змій Віктор Іванович, Дата реєстрації 10-07-2013 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу Розроблені математичні моделі, втілені в програмні комплекси SPURT.CRIS, CALCMULT і RADI-DIFUS.SL, які моделюють процеси первинного дефектоутворення в наноструктурних матеріалах під впливом низькотемпературного, низкоенергетичного іонного опромінення. Математичні моделі засновані на використанні методів Монте-Карло (програма SPURT.CRIS) і рішенні рівнянь дифузії (програма RADI-DIFUS.SL). За допомогою програмних комплексів SPURT.CRIS і CALCMULT отримані первісні просторові профілі первинного дефектоутворення в матеріалах, що опромінюються, а саме, профілі розподілу імплантованих іонів, вакансій і міжвузельних атомів матеріалу плівки. Детально досліджено поводження отриманих профілів залежно від кута падіння падаючих іонів (при енергіях іонів E = 0,5-2,0 кеВ) з метою визначення оптимальних значень кутів падіння, при яких досягається максимальна концентрація первинних дефектів в плівці, що опромінюється. Програмні комплекси SPURT.CRIS і CALCMULT використовувалися для моделювання двох систем: 1) Al+ -> Cu та 2) Ti+ -> Nb. Опис продукції Розроблені математичні моделі, втілені в програмні комплекси SPURT.CRIS, CALCMULT і RADI-DIFUS.SL, які моделюють процеси первинного дефектоутворення в наноструктурних матеріалах під впливом низькотемпературного, низкоенергетичного іонного опромінення. Математичні моделі засновані на використанні методів Монте-Карло (програма SPURT.CRIS) і рішенні рівнянь дифузії (програма RADI-DIFUS.SL). За допомогою програмних комплексів SPURT.CRIS і CALCMULT отримані первісні просторові профілі первинного дефектоутворення в матеріалах, що опромінюються, а саме, профілі розподілу імплантованих іонів, вакансій і міжвузельних атомів матеріалу плівки. Детально досліджено поводження отриманих профілів залежно від кута падіння падаючих іонів (при енергіях іонів E = 0,5-2,0 кеВ) з метою визначення оптимальних значень кутів падіння, при яких досягається максимальна концентрація первинних дефектів в плівці, що опромінюється. Програмні комплекси SPURT.CRIS і CALCMULT використовувалися для моделювання двох систем: 1) Al+ -> Cu т Автори роботи Андреєв Анатолій Опанасович Бредіхін Михайло Юрійович Змій Віктор Іванович Картмазов Геннадій Миколайович Карцев Микола Федорович Коваленко Володимир Іванович Коновалов Ігор Іванович Кунченко Віктор Володимирович Кунченко Юрій Вікторович Лукирський Юрій Валентинович Маринін Володимир Григорович Мартиненко Людмила Іванівна Марченко Іван Григорович Павленко Володимир Івановтич Поляков Юрій Іванович Рижова Тетяна Петрівна Руденький Сергій Георгійович Сафонов Володимир Йосипович Столбовий Вячеслав Олександрович Щербак Семен Павлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити