Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U005785, 0111U006176 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження електро-фізичних, механічних, теплових і оптичних властивостей напівпровідників, напівпровідникових і металічних плівок. Назва етапу роботи Керівник роботи Тулупенко Віктор Миколайович, Дата реєстрації 25-07-2013 Організація виконавець Донбаська державна машинобудівна академія Опис етапу Об'єкт дослідження: ?Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 квантова ями, легована фосфором і вирощена в 100 кристалографічному напрямку. Метою роботи є вирішення комплексної задачі щодо розрахунку коефіцієнта поглинання дельта-легованих квантових ям; встановлення залежності домішкової енергії звязку від ступеня іонізації домішки; встановлення неоднорідності розподілу температури в напівпровідниковій пластині, при пропусканні імпульсного струму. Предмет дослідження - зміна домішкової енергії звязку та температурних параметрів в дельта-легованих квантових ямах, ефект затримки зміни температури кристалічної гратки. Метод дослідження - У роботі використано комплекс теоретичних методів дослідження. У даному звіті теоретично розглянуто енергію зв'язку домішкового ?-слоя розташованого як в центрі, так і на краю квантової ями (КЯ), на прикладі Si0.8Ge0.2/Si/Si0.8Ge0.2 КЯ n-типу, леговану фосфором. Розрахунки виконані для випадку не дуже великих домішкових концентрацій, коли домішкові зони ще не сформовані і ще можливо розглядати домішку як ізольовану. На основі самоужгодженого вирішення рівнянь Шредінгера, Пуассона і електронейтральності показано, що домішкова енергія зв'язку залежить від ступеня іонізації домішки і помітніше для випадку легування в край КЯ. Також теоретично розглядався ефект затримки зміни температру кристалічної градки на протязі початкового інтервалу часу нагрівання в результаті збудження послідовними короткими імпульсами електричного поля при діслідженні зміни заселення дірок в резонантних станах легованого бором кремнію. В результаті ми показали, що вплив іонізації домішкового дельта слоя на домішкову енергію звязку дійсно існує і залежить від місця дельта слою в середині КЯ. Домішкова енергія звязку зростає з підвищенням іонізації дельта слою в КЯ, і найбільш помітне збільшення для КЯ легованих в край. В цьому випадку два фактори спонукають до цих збільшень - іонізація дельта слою та зсув центральних комірки, що його супроводжує. Вдалось розрахувати коефіцієнт поглинання для двох температур. Встановлено, що при Т=77 К спотворення енергетичного профілю КЯ хартрієвским потенціалом для обох випадків невелике і тому спектри практично співпадають. При підвищенні температури разом із збільшенням заселеності відбувається і зсув підзон розмірного квантування, що демонструють результати розрахунку. Найбільший зсув підзон спостерігається для КЯ легованою в край. Опис продукції Теоретично розглянуто енергію зв'язку домішкового ?-слоя розташованого як в центрі, так і на краю квантової ями n-типу, леговану фосфором. Розрахунки виконані для випадку не дуже великих домішкових концентрацій, коли домішкові зони ще не сформовані і ще можливо розглядати домішку як ізольовану. На основі самоужгодженого вирішення рівнянь Шредінгера, Пуассона і електронейтральності показано, що домішкова енергія зв'язку залежить від ступеня іонізації домішки і помітніше для випадку легування в край КЯ. Також теоретично розглядався ефект затримки зміни температру кристалічної градки на протязі початкового інтервалу часу нагрівання в результаті збудження послідовними короткими імпульсами електричного поля при діслідженні зміни заселення дірок в резонантних станах легованого бором кремнію. Автори роботи Акімов Володимир Ігорович Білих Валерій Георгійович Богданова Татьяна Леонідівна Будніков Єгор Юрійович Демедюк Роман Олександрович Дмитриченко Татьяна Вікторівна Костенко Володимир Михайлович Огньотова Жанна Миколаївна Соломіна Вікторія Федорівна Тишкевич Анатолій Володимирович Тулупенко Віктор Миколайович Тютюнник Антон Михайлович Фоміна Оксана Сергіївна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити