Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U005890, 0112U006102 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні характеристики і проблеми діагностики нанодротових та атомарнотонких польових приладів на основі алмазу, кремнію і графену Назва етапу роботи Керівник роботи Мачулін Володимір Федорович, Дата реєстрації 24-09-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Метою проекту є дослідження фундаментальних характеристик одно- і двовимірних нанотранзисторів на основі гетероструктур на ізоляторі і вплив на них нанорозмірних ефектів, в тому числі, вплив розмірного квантування, розробка методів електричної і оптичної діагностики таких приладів і структур.На першому етапі роботи були досліджені: ефект зарядового зв'язка в супертонких (15-10 нм) слабо легованих кремнієвих каналах КНІ МДН польових транзисторів; рухливість носіїв заряду в багатозатворних приладах типу FinFET з шириною ребра до 20 нм; ефекти захоплення заряду на енергетично мілкі пастки в перехідному шарі діелектриків з високою діелектричною сталою і на локальні центри в двоокису кремнію на тунельній відстані від кремнієвого каналу в нанодротових польових приладах стандартного типу (інверсної моди провідності) і новітнього типу - без перехідних нанодротових транзисторів. Була розроблена аналітична модель зарядового зв'язку у супертонких слабо легованих кремнієвих каналах КНІ МДН транзисторах з урахуванням квантових ефектів, яка добре відповідає чисельним розрахункам. Була побудована теоретична модель антигестирезисного ефекту в опорі графенового шару, розміщеного на сегнетоелектричну підкладку. Опис продукції Автори роботи І.П.Тягульський А.В.Русавський В.І. Смірная В.С.Лисенко М.В.Стріха О.М.Назаров С.І.Тягульський Т.О. Руденко Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити