Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U006516, 0113U005303 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне і експериментальне дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до n-Si з сходинкою легування n+-n-типу Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 05-10-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єктом проведеного дослідження були омічні контакти до кремнію з n+-n сходинкою легування. В результаті проведеного математичного моделювання для контактів із товщиною сильнолегованого шару 5 і 10 нм були отримані зонні діаграми і залежності величини питомого контактного опору від температури. Аналітичний розрахунок залежності питомого контактного опору rс(Т) для омічних контактів до n+-n структури кремнію був проведений для граничного випадку з легуванням n+ області 5·10^20 см^-3, n-області 10^16 см^-3 і товщинами n+ шару 5 і 10 нм. В розглянутому випадку в n+ шарі наявне виродження електронів. Розраховувались також зонні діаграми для n=1016 см-3, товщин n-шару 5 і 10 нм і величин n+=5·10^19, 10^20, 2·10^20 см^-3. Всі використані для розрахунку величини n+ задовольняють умові n+>Nc (тут Nc - ефективна густина станів в зоні провідності). Питомий контактний опір розраховувався в вигляді послідовного з'єднання двох опорів: rth - питомий контактний опір, пов'язаний з термопольовим проходженням електронів через бар'єр на межі розділу метал-n+ і rc2 - ефективний питомий контактний опір слабо легованої n-області Si. Показано, що у випадку якщо rc2>rth контакт буде омічним. Опис продукції Розроблена модель пояснює механізм формування омічного контакту і температурну залежності rс з врахуванням збагачуючого вигину зон у високоомній частині n+-n структури і мінімального rc контакту до кремнію з сходинкою легування. Автори роботи Бєляєв Олександр Євгенович Виноградов Анатолій Олегович Конакова Раїса Василівна Кудрик Я.Я. Романець Петро Миколайович Саченко Анатолій Васильович Шеремет Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Конакова Раїса Василівна. Теоретичне і експериментальне дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до n-Si з сходинкою легування n+-n-типу. (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0213U006516
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-15