Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U006677, 0113U001209 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій створення нанорозмірних германієвих cтруктур на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Шварц Юрій Михайлович, Дата реєстрації 23-12-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Для методу термічного осадження германію у вакуумі встановлені технологічні режими одержання чутливих до температури нанорозмірних плівок Ge на підкладках GaAs. На основі нанорозмірних плівок Ge-на-GaAs розроблена нова конструкція високоточного терморезистора. Опис продукції Основні технічні характеристики технології: робочий вакуум в камері - не гірше 2-5x10^-6 тор; температура пидкладки GaAsi - 200-550^оС; швидкість осадження Ge - 1-50 нм/с; похибка виміру температури підкладки - 5^оС.; питомий опір підкладки GaAs - 10^8 Ом x см; товщина плівки Ge - 10-450 нм; тип провідності плівки - р; кристалічна структура плівки - полікристал, текстура, монокристал. Автори роботи Борблик В.Л. Фонкіч О.М. Шварц М.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити