Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U006852, 0113U005303 , Науково-дослідна робота Назва роботи Теоретичне і експериментальне дослідження температурної залежності контактного опору омічних контактів до n-Si з сходинкою легування n+-n-типу Назва етапу роботи Керівник роботи Конакова Раїса Василівна, Дата реєстрації 08-01-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Досліджувалась температурна залежність питомого контактного опору ?с(Т) омічних контактів в діапазоні температур 12,4-380 К і 125-380 К, виміряна методом довгої лінії для латеральної і вертикальної геометрії контактів. Показано, що в області температур 125-380 К незалежно від способу створення n+-n- сходинки легування ?с зростає по степеневому закону із збільшенням температури вимірювання. В інтервалі температур 12,4-380 К залежність ?с(Т) складається із двох ділянок: низькотемпературної, зі зменшуваною по експоненціальному закону величиною ?с в інтервалі температур 12,4-70 К і зростаючою по степеневому закону величиною ?с в інтервалі температур 70-380 К. Експериментальні залежності ?с(Т) підтверджують основні висновки математичного моделювання механізму формування омічних контактів з n+-n- сходинкою легування в приконтактній області кремнію. Опис продукції Розроблена модель пояснює механізм формування омічного контакту і температурну залежності rс з врахуванням збагачуючого вигину зон у високоомній частині n+-n структури і мінімального rc контакту до кремнію з сходинкою легування. Автори роботи Бєляєв Олександр Євгенович Виноградов Анатолій Олегович Конакова Раїса Василівна Кудрик Ярослав Ярославович Мілєнін Віктор Володимирович Романець Петро Миколайович Саченко Анатолій Васильович Шеремет Володимир Миколайович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити