Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0213U007092, 0112U006200 , Науково-дослідна робота Назва роботи Сцинтиляційні матеріали на основі сульфідних та селенідних сполук А2В6 для датчиків мультіенергетичної радіографії Назва етапу роботи Керівник роботи Старжинський Микола Григорович, Дата реєстрації 02-04-2013 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис етапу Підібрані оптимальні склади і концентрації активуючих домішок, підібрані умови і режими вирощування нових типів халькогенідних сцинтиляторів. Вирощено перші експериментальні зразки об'ємних кристалів нових типів халькогенідних сцинтиляторів. Було досліджено вплив післяростової термообробки кристалів на їх сцинтиляційні характеристики. Проведено вимірювання основних сцинтиляційних параметрів отриманих експериментальних зразків. Опис продукції Клас халькогенідних сцинтиляторів (ХС) на основі селеніду цинку (ZnSe(Te), ZnSe(Al,O), ZnSe(Cd) та ін), мають унікальні параметри та широко застосовуються в області радіаційного приладобудування (РП) (дозиметрія, неруйнівний контроль, інтроскопія та ін.). Проте на ряду з високим світловиходом S = 0,9-1,2 відн. CsI(Tl), низьким рівнем післясвітіння ? <0,01% і високою радіаційною стійкістю, сцинтиляторам на основі селеніду цинку притаманний ряд недоліків, які обмежують область практичного застосування даних матеріалів. Нові типи сірковмісних ХС можуть стати альтернативними матеріалами для використання в області РП, тому що вони позбавлені багатьох недоліків, які властиві відомим сцинтиляторам на основі селеніду цинку. Автори роботи І.М.Зеня О.В. Жуков Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Старжинський Микола Григорович. Сцинтиляційні матеріали на основі сульфідних та селенідних сполук А2В6 для датчиків мультіенергетичної радіографії. (Етап: ). Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України. № 0213U007092
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17