Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U007177, 0108U004572 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення і створення технологій вирощування монокристалічних сполук А2B6 і А3B5 для електронної техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Томашик Василь Миколайович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 16-04-2013 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт по НДР: 42 с., 18 рис. 6 табл.., 44 джерел. В даній роботі розроблено ефективні технології вирощування високоомних монокристалів CdTe і твердих розчинів ZnxCd1-xTe розчин-розплавним методом та методом направленої кристалізації власних розплавів під високим тиском інертного газу для виготовлення на їх основі ефективних детекторів Х- і -випромінювання. Виготовлено технологічну установку, призначену для вирощування епітаксійних шарів InxGa1-xAs (x > 0,84) p- та n-типу провідності методом рідкофазної епітаксії. Розроблено технологічні режими вирощування епітаксійних шарів при х = 0,88, 0,90, 0,93 та 0,95 на підкладках InAs. Виготовлено дослідні зразки сенсорів ІЧ-випромінювання на основі InAs p-n-переходів та інжекційних джерел ІЧ-випромінювання на спектральний діапазон 3,0-3,6 мкм. Запропоновано дослідні технології та оптимальні режими виготовлення бездефектних поверхонь пластин CdTe, ZnxCd1-xTe, InSb, InAs, GaAs і InxGa1-xAs методами хімічної різки, хіміко-механічного та хіміко-динамічного полірування. Опис продукції Методика вирощування високоомних монокристалів CdTe і ZnxCd1-xTe для виготовлення на їх основі детекторів Х- і гама-випромінювання. Методика та технологічні режими вирощування епітаксійних шарів на підкладках InAs. Дослідні зразки охолоджуваних сенсорів ІЧ-випромінювання на основі InAs p-n- переходів та інжекційних джерел ІЧ-випромінювання на спектральний діапазон 3,0-3,6 мкм. Автори роботи Ворощенко А.Т. Капуш О.А. Кравецький М.Ю. Кравцова А.С. Лукіянчук Е.М. Луцишин І.Г. Мазарчук І.О. Маланич Г.П. Морозовська В.Й. Омельчук Б.В. Палатний В.М. Пащенко Г.А. Седлецька І.І. Стратійчук І.Б. Сукач А.В. Томашик В.М. Томашик З.Ф. Тріщук Л.І. Фомін О.В. Яшин А.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити