Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0213U007261, 0111U006258 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи процесів формування напівпровідникових наноструктур для пристроїв електроніки і фотоніки Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 20-05-2013 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Оптимізовано методи виготовлення структур з однорідними органічними шарами різної товщини. Визначено умови появи області негативної диференціальної ємності в вольтфарадних характеристиках структур метал-діелектрик-напівпровідник з вбудованими в діелектрик шарами нанокластерів. Оптимізовано процеси виготовлення водневміщуючих порошків кремнію, розроблено двокамерний пристрій для самоузгодженого продукування водню. Показано, що в гетероструктурах Ті-ТіО2-рSі зміна співвідношення інжектованих електронів і дірок може призводити до ефекту негативної провідності. Відпрацьовані лабораторні методи синтезу сульфідних наношарів на внутрішній поверхні пористого кремнію. Показана можливість використання нанокомпозитних плівок SiO2(Si) як середовища для накопичення та зберігання електричного заряду в структурах енергонезалежної пам'яті. Розроблені методи селективного формування квантових точок GaAs в нанесеній на буферний шар нанопористій плівці Sі. Опис продукції Оптимізовано методи виготовлення структур з однорідними органічними шарами різної товщини. Промодельовані електрофізичні характеристики структур метал-діелектрик-напівпровідник з вбудованими в діелектрик шарами нанокластерів. Визначено умови появи області негативної диференціальної ємності в вольтфарадних характеристиках структур SiO2/Si-NCs/SiO2/Si. Розроблено двокамерний пристрій для самоузгодженого продукування водню, який базується на принципі дозованого постачання реагенту (у вигляді крапель) з оберненим зв'язком. Показано, що в гетероструктурах Ті-ТіО2-рSі зміна співвідношення інжектованих електронів і дірок може призводити до ефекту негативної провідності. Відпрацьовано лабораторний метод синтезу наношарів на границі розділу пористий кремній - розчин неорганічних сульфідних сполук. В отриманих методом іонно-плазмового розпилення нанокомпозитних SiO2(Si) плівках процеси електронного транспорту реалізуються за механізмом стрибкової провідності. Показана можливість використання нанокомпозитних плівок Автори роботи Іванов Іван Іванович Ільченко Володимир Васильович Вербицький Володимир Григорович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Козонущенко Олександр Іванович Кузнецов Геннадій Васильович Лисоченко Сергій Васильович Литвиненко Сергій Васильович Манілов Антон Ігоревич Опилат Віталій Яковлевич Скришевсткий Валерій Антонович Третяк Олег Васильович Усенко Володимир Олексійович Циганова Ганна Іскаківна Шкавро Анатолій Григорович Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити