Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U000204, 0111U009717 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України Назва етапу роботи Керівник роботи Лавриненко Сергій Дмитрович, Фінкель Володимир Олександрович, Кутній Володимир Євдокимович, Дата реєстрації 23-01-2014 Організація виконавець Національний науковий центр "Харківський фізико-технічний інститут" НАН України Опис етапу У другому півріччі 2013 р. відповідно до тематичного плану із Відомчого завдання НАН України на проведення наукових досліджень з атомної науки й техніки ННЦ ХФТІ тема III-1-11 (ІФТТМТ) "Фундаментальні дослідження структури та фізичних властивостей надпровідникових, магнітних і напівпровідних матеріалів, що перспективні для створення нових приладів та систем атомної енергетики, зокрема для транспортування, перетворення та накопичування енергії АЕС України" проведено дослідження за наступним етапом: Етап 6. "Дослідження процесів радіаційного старіння широкозонних напівпровідникових детекторів для реєстрації ядерних випромінювань. Вивчення часової стабільності робочих характеристик детекторів і методів контролю їх електрофізичних параметрів" У звіті визначено оптимальні режими технології одержання детекторів іонізуючих випромінювань, включаючи вибір необхідної структури кристала, його хімічного травлення, шліфування, полірування, пассівації бічних граней, визначенню оптимального матеріалу для металевих контактів і режимів їхнього нанесення, визначенню режимів термообробки, режимів газостатичного пресування й режимів радіаційного состарювання для поліпшення параметрів детекторних структур і їх довгострокової експлуатаційної надійності. Одержані наступні основні наукові результати: Для усунення негативного впливу недосконалої обробки (механічної та хімічної) поверхні кристала, нами розроблено технологічні процеси модифікації готового детектора - структури Метал-Напівпровідник-Метал. У звіті розглядаються два конкуруючі процеси обробки структури детектора: газостатична термомеханічна обробка структури з визначенням оптимальних параметрів обробки; радіаційне состарювання (стимулювання) при строго визначених параметрах опромінення електронами й гамма-квантами на прискорювачі електронів Розглянуто механізми процесів, що відбуваються в МНМ-структурі детектора при газостатичній обробці й радіаційному стимулюванні. Наші припущення знайшли підтвердження в спільній роботі з Інститутом напівпровідників ім. Лошкарєва (м. Київ), при контролі виготовлених нами МНМ-структур. Стор. - 41, Рис. - 36, Літ. джерел. - 11. Опис продукції Досліджено й удосконалено технології створення, на детекторних структурах, пасивуючих окісних покриттів для зниження струмів витоку детектора. Кращі характеристики отримані на покритті HfО2 отриманому плазмохімічним напилюванням, однак для технологічного процесу обране париленове покриття, що забезпечує часову стабільність CdZnTe детекторів. Автори роботи Ажажа Р.В. Аржавітін В.М. Богдан Є.О. Вєрьовкін А.А. Давидов Л.М. Дерев'янко В.В. Ковтун К.В. Мухин В.В. Наконечний Д.В. Піроженко Л.О. Рибка О. В. Серих Л.М. Соколов С.О. Сунгуров М.С. Сухарева Т.В. Тихоновська Т.М. Чечина М.В. Шахов Ю.Н. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити