Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U000280, 0113U002630 , Науково-дослідна робота Назва роботи Квантові розмірні ефекти у тонкоплівкових і об'ємних структурах на основі напівпровідників V2VI3 та IV-VI і керування їх термоелектричними властивостями Назва етапу роботи Керівник роботи Рогачова Олена Іванівна, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 05-02-2014 Організація виконавець Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Опис етапу Об'єкти дослідження - тонкі плівки напівпровідникової сполуки Bi2Te3 з різним відхилом від стехіометрії та тонкі плівки телуриду свинцю PbTe, легованого різними домішками. Для усіх плівок за кімнатної температури проведено вимірювання електропровідності, коефіцієнта Холла і Зеєбека, побудовано залежності кінетичних коефіцієнтів від товщини плівок d. Вперше встановлено, що d - залежності кінетичних коефіцієнтів тонких плівок p - Bi2Te3 в інтервалі товщин d = 20 - 100 нм мають осцилюючий характер з періодом d = 9.5 0.5 нм, що пов'язується із квантуванням енергетичного спектру дірок. При d > ~ 100 нм квантові осциляції затухають і спостерігаються класичні розмірні ефекти, пов'язані із дифузним розсіянням носіїв заряду на поверхнях плівки. Дана теоретична інтерпретація експериментальних результатів. Одержано температурні (77 - 300 К) залежності електропровідності, коефіцієнтів Холла і Зеєбека кристалів Bi2Te3 з різною стехіометрією (59,6; 60,0; 60,2 та 62,8 ат. % Те) та тонких плівок, вирощених на їх основі. Встановлено, що хід ?(T) і ?H(T) для полікристалів, монокристалів і тонких плівок має однаковий характер, обумовлений сильним виродженням електронного та діркового газу. Одержано температурні (77 - 300 К) і товщинні залежності кінетичних коефіцієнтів тонких плівок PbTe, легованого Pb та InTe, вирощених на підкладках (001)KCl та (111)BaF2. Характер Т - залежностей свідчить про сильне виродження електронного газу і основним механізмом розсіяння носіїв заряду є розсіяння на акустичних коливаннях решітки. В плівках PbTe<InTe> спостерігається зміна типу провідності з р- на n-тип при d ? 20 - 40нм. На d - залежностях кінетичних властивостей плівок PbTe<InTe>, вирощених на (001)KCl при d > 20 нм спостерігаються осциляції, наявність яких пов'язується з квантовими розмірними ефектами. Результати теоретичного розрахунку d добре узгоджуються з експериментальними даними. Опис продукції Проведена атестація тонких плівок напівпровідникової сполуки Bi2Te3 з різним відхилом від стехіометрії та тонких плівок PbTe, легованого різними домішками: дослідження хімічного складу, кристалічної структури, вимірювання гальваномагнітних і термоелектричних властивостей в залежності від температури, товщини, складу, температури підкладки. Автори роботи Будник Олександр Валентинович Водоріз Ольга Станіславівна Дорошенко Ганна Миколаївна Нащекіна Ольга Миколаївна Ольховська Світлана Іванівна Рогачова Олена Іванівна Сіпатов Олександр Юрійович Федоров Олександр Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити