Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U000452, 0113U000909 , Науково-дослідна робота Назва роботи "Розробка методик формування наноструктурованих об'єктів на поверхні напівпровідників типу А2В6 методами хімічного травлення та колоїдного синтезу в розчинах, впровадження їх в твердотільні матриці і дослідження оптичних та електрофізичних властивостей" Назва етапу роботи Керівник роботи Томашик Василь Миколайович, Доктор хімічних наук Дата реєстрації 05-03-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Звіт про НДР: 51 с., 17 рис., 5 табл., 10 джерел. Об'єкт дослідження - процеси формування наноструктурованих об'єктів на поверхні монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnхCd1-хTe методами хімічного травлення; світловипромінюючі властивості нанокристалів CdTe, CdS та світло-випромінюючі структури, які містять чисті або з'єднані з антитілами колоїдні квантові точки CdSe в оболонці ZnS, висушені на твердих підкладках. Мета роботи - розробка ефективних методик формування наноструктурованих об'єктів на поверхні монокристалів напівпровідників А2В6 методами хімічного травлення, колоїдного синтезу нанорозмірних напівпровідникових матеріалів А2В6 з наступною інкорпорацією в твердотільні матриці та дослідження світловипромінюючих властивостей отриманих нанокомпозитів. Методи дослідження - профілографічний та мікроструктурний аналізи, спектри фотолюмінесценції в широкій області температур (Т = 4,2-300 К) з використанням лазерних джерел збуджень, комбінаційне розсіювання світла. Анотація: розроблено та оптимізовано ефективні методики формування наноструктурованих об'єктів на поверхні напівпровідників А2В6 методами хімічного травлення. Показано, що при застосуванні комбінованого методу хіміко-механічного і хіміко-динамічного полірування монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnхCd1-хTe новими розробленими травниками H2O2-HBr-розчинник отримується поверхня з нанорозмірним рельєфом, на якій формуються неперіодичні голчасті наноутворення різних розмірів. Розроблено методику синтезу нанокристалів (НК) CdS:Cu та CdS:Zn в полімерних матрицях, проведено комплексні дослідження спектрів оптичного поглинання та фотолюмінесценції НК CdS в залежності від концентрації введених домішок Cu і Zn в межах (1-10) %. Встановлено, що домішка Cu зосереджується на поверхні НК, пасивуючи дефекти вакансійного типу, які є поверхневими випромінювальними центрами. Показано, що домішка цинку, навпаки, проникає в об'єм НК CdS, створюючи при цьому додаткові поверхневі дефекти - центри випромінювальної рекомбінації. Встановлено залежність люмінесцентних характеристик біо-кон'югованих КТ від тривалості та температури термічного відпалу. Показано, що найбільш оптимальним режимом обробки світло-випромінюючих структур з біо-кон'югованими КТ є опромінення за температури 40-60?С світлом з області власного поглинання КТ протягом декількох годин, а найбільш оптимальними підкладками є полірована Si пластина та предметне скло. Встановлено, що термічний відпал біо-кон'югованих КТ стимулює інтердифузію компонентів на гетерограниці CdSe/ZnS, а поглинання світла в КТ під час відпалу стимулює окислення ядра та перешкоджає процесам інтердифузії. Прогнозні припущення про розвиток об'єкту дослідження - вдосконалення методу виготовлення світло-випромінюючих структур, перспективних для створення нового високочутливого методу реєстрації біо-комплексів за участю квантових точок. Опис продукції Методика формування наноструктурованих об'єктів на поверхні напівпровідників А2В6 методами хімічного травлення. Методика синтезу нанокристалів CdS:Cu та CdS:Zn в полімерних матрицях, Автори роботи Єрмаков В.М. Борковська Л.В. Будзуляк С.І. Вахняк Н.Д. Демчина Л.А. Калитчук С.М. Капуш О.А. Корбутяк Д.В. Корсунська Н.О. Крюченко Ю.В. Курик А.О. Мазарчук І.О. Морозовська В.Й. Палатний В.М. Стара Т.Р. Стратійчук І.Б. Томашик З.Ф. Тріщук Л.І. Щербина Л.В. Яшин А.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Томашик Василь Миколайович. "Розробка методик формування наноструктурованих об'єктів на поверхні напівпровідників типу А2В6 методами хімічного травлення та колоїдного синтезу в розчинах, впровадження їх в твердотільні матриці і дослідження оптичних та електрофізичних властивостей". (Етап: ). Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. № 0214U000452
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-19