Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001027, 0110U004655 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та розвиток методу субмікронного топографування та паспортизації хімічного складу, структурної досконалості, електрофізичних параметрів та розподілу механічних напружень у наноструктурах електроніки і оптоелектроніки. Назва етапу роботи Керівник роботи Стрельчук Віктор Васильович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 15-01-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Розроблено і вдосконалено апаратне забезпечення і діагностичні методи високороздільної скануючої оптичної конфокальної Раманівської та люмінесцентної спектроскопії. Досліджено температурну залежність спектрів КРС кремнієвих нанокристалітів в матриці SiOx. Спектри КРС проаналізовано з врахуванням комбінованого впливу ефектів просторового обмеження фононів, ангармонічної взаємодії фононів, термічного розширення та термопружних деформацій. Показано поступову релаксацію термопружних деформацій розтягу при зростанні температури. Досліджено вплив ефекту лазерного розігріву на фононний спектр нанокристалітів. Досліджено спектри КРС пористих нанокомпозитних плівок оксиду алюмінію, що містять Si нанокристаліти. Двохкомпонентний характер спектру КРС пояснено в моделі просторового обмеження ТО фононів в Si нанокристалітах з деформаціями стиску на інтерфейсі. Проаналізовано стоксову і анти-стоксову компоненти спектру КРС при варіюванні інтенсивності збуджуючого випромінювання та встановлено лазерний нагрів Si нанокристалітів до температур понад 1000 К. Досліджено двовимірні шари графену на поверхні структури a-SiC/метал Ni отримані термічним відпалом у вакуумі. Показано, що незвичне уширення 2D смуги пов'язане з просторовою неоднорідністю кількості шарів графену в досліджуваній області - шар складається з фрагментів дво- та багатошарового графенів. Виявлене додаткове високочастотне зміщення 2D смуги в спектрі мікро-КРС пов'язане зі деформаційно-індукованою зміною нахилу електронних зон в околі точки К зони Брілюена графену. Досліджено шари графену сформовані на провідних та напівізолюючих підкладках 6H-SiC. Показано, що зростання температури термічного відпалу приводить до немонотонної зміни ступеня структурної дефектності та розмірів кластерів графену. При підвищенні температури до 1350°С ступінь структурної досконалості шарів графену покращується, а при більших температурах Т > 1400°С знижується. Досліджено ефекти розігріву AlGaN/GaN HEMT-структур при прикладанні електричних полів. Отримано експериментальну залежність температури в субмікронних областях HEMT-структури від величини прикладеної напруги. Відмінності величини температури, отриманої різними методами обумовлені ефектом локальності саморозігріву нанообласті провідного каналу з двовимірним електронним газом. Опис продукції Результати наукових досліджень будуть використані при вирішені фізичних проблем впливу структурних параметрів на оптичні та електронні властивості наноструктур, що є важливим як для науки, так і для технології. Розробка локальних методів діагностики дозволить проводити топографування динаміки зміни параметрів наноприладів, як функції електричного поля, струму, чи неоднорідного локального просторового розподілу температурних полів. На практиці розроблені методи необхідно застосовувати при виготовлені елементної бази опто- і наноелектронних пристроїв з використанням методів нанотехнологій. Розробка та введення в дію відповідних методик і апаратури для нанодіагностики матеріалів і приладів сприятиме поповненню дохідної частини бюджету України шляхом забезпечення виконання замовлень підприємств та організацій різної форми власності, створенню робочих місць, підвищенню якості підготовки фахівців вітчизняних університетів. Відсутність методик нанодіагностики і отримання просторових топограм із субмікронною ро Автори роботи Авраменко Катерина Андріївна Бойко Микола Іванович Губанов Віктор Олександрович Коломис Олександр Федорович Ніколенко Андрій Сергійович Насєка Віктор Миколайович Насєка Юрій Миколайович Романюк Артем Сергійович Стубров Юрій Юрійович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити