Реєстраційний номер
0214U001133,
0113U004482
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Ефекти інтерфейсу та поверхні в кремнієвих та вуглецевих наносистемах.
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Стріха М.В.,
Дата реєстрації
21-01-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Мета роботи: дослідження фізичних ефектів, пов'язаних з поверхнею та інтерфейсом у вуглецевих та кремнієвих наноструктурах і їх використання для створення гібридних електронних і оптоелектронних пристроїв нового покоління. Вперше побудовано модель для конкурентних механізмів гістерезису залежності опору графенового каналі на підкладці різної природи від напруги на затворі: прямого (зумовленого наявністю на поверхні й інтерфейсі адсорбатів з дипольним моментом) і оберненого (зумовленого захопленням носіїв з шару графену на локалізовані стани на інтерфейсі графен-підкладка). Показано, що високочастотний польовий розігрів може привести до помітного температурного градієнту в сегнетоелектрику. Методом мікро-КРС спектроскопії експериментально досліджено шари графену, синтезовані на поверхні Ni з допомогою термічного відпалу в вакуумі структури a-SiC/Ni. Показано, що латеральний розмір досліджуваних шарів графену складає до 20 мкм, в той час як структура самих шарів змінюються від одно- до багатошарового графену. Спостережуване незвичне розширення 2D смуги пояснено просторовою неоднорідністю кількості шарів: якщо графен складається з фрагментів дво- та багатошарового графенів.
Опис продукції
Побудовано модель для конкурентних механізмів гістерезису залежності опору графенового каналі на підкладці різної природи від напруги на затворі: прямого (зумовленого наявністю на поверхні й інтерфейсі адсорбатів з дипольним моментом) і оберненого (зумовленого захопленням носіїв з шару графену на локалізовані стани на інтерфейсі графен-підкладка).
Автори роботи
Клюй М.І.
Курчак А.І.
Кухтарук С.М.
Морозовська Г.М.
Ніколенко А.С.
Наумов А.В.
Соколов В.М.
Стрельчук В.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
