Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U001195, 0112U005307 , Науково-дослідна робота Назва роботи Застосування базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур з нанорозмірними елементами на основі твердих розчинів А3В5 для фотоелектронних приладів на установці MOCVD D-180GaN Назва етапу роботи Керівник роботи Круковський Семен Іванович, Дата реєстрації 23-01-2014 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Здійснена постановка базової технології виробництва на промисловій установці високоефективних InGaN/GaN/SiC напівпровідникових гетероструктур з нанорозмірними елементами призначених для виготовлення потужних та деградаційностійких синіх світлодіодів за фліп-чіп технологією. Розроблена технологія кристалізації гетероструктур InGaN/GaN/SiC методом МОС-гідридної газофазної епітаксії. Проведено дослідження основних параметрів гетероструктур InGaN/GaN/SiC з використанням гальваномагнітних досліджень, фотолюмінесценції, електронної мікроскопії, високорозподільчої рентгенівської дифрактометрії, електропрофілювання та мікрорентгеноструктурного аналізу. З використанням розроблених базових технологічних процесів виготовлена партія напівпровідникових гетероепітаксійних структур InGaN/GaN з нанорозмірними елементами для виготовлення світлодіодних структур. Створена інфраструктура технологічної дільниці виготовлення епітаксійних структур методом МОС-гідридної епітаксії для фотоелектронних приладів на промисловій установці MOCVD D-180GaN. Опис продукції Створена інфраструктура технологічної дільниці виготовлення епітаксійних структур методом МОС-гідридної епітаксії для фотоелектронних приладів на промисловій установці MOCVD D-180GaN та випробувана базова технологія виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур InGaN/GaN з піковою довжиною хвилі генерації гетероструктури - 470±5 нм. Автори роботи Євтух А.А. Авдеєва О.В. Богомолова С.В. Бойко М.П. Бонковський Е.Л. Ваків О.В. Галстян Г.Г. Гаруст О.Ю. Глуховська Ю.Ю. Голуб В.В. Гончаров С.М. Гуренко В.О. Денисенко В.В. Каіра В.В. Калініченко Т.Є. Карпенко П.Д. Клименко Л.П. Ковальчук О.Ф. Кость Я.Я. Котовський В.В. Кравцов В.А. Круковський Р.С. Круковський С.І. Ларкін Д.С. Лаунець В.Л. Лукін П.В. Межибовський А.П. Михащук Ю.М. Мрихін І.О. Новіков Є.І. Парфенюк П.В. Пастушенко Т.А. Пастушенко Ю.М. Педченко Ю.М. Сухов М.Є. Хмилєвська О.В. Шибук О.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Круковський Семен Іванович. Застосування базових технологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур з нанорозмірними елементами на основі твердих розчинів А3В5 для фотоелектронних приладів на установці MOCVD D-180GaN. (Етап: ). Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука". № 0214U001195
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20