Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001196, 0113U006117 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення на базі установки MOCVD D-180LDM технологічної дільниці для випробування нанотехнологій виробництва напівпровідникових гетероепітаксійних структур на основі твердих розчинів А3В5 Назва етапу роботи Керівник роботи Парфенюк Павло Васильович, Дата реєстрації 23-01-2014 Організація виконавець Публічне акціонерне товариство "Науково-виробничий концерн "Наука" в особі Львівської філії Публічного акціонерного товариства "Науково-виробничий концерн "Наука" Опис етапу Досліджено оптичні та структурні властивості двомоношарових квантових точок InAs/GaAs, вирощених при різних швидкостях росту і температурах поверхні. Визначено основні технологічні фактори, що визначають оптимальні режими кристалізації квантово-розмірної активної області для НВЧ приладів на основі системи GaAs/AlGaAs методом МОС-гідридної епітаксії на установці D-180LDM. Розроблена та апробована технологія кристалізації брегівського дзеркала на основі гетеропари GaAs/AlGaAs для оптоелектронних гетероструктур. Розроблена та апробована технологія кристалізації квантово-розмірної активної області для НВЧ приладів на основі системи GaAs/AlGaAs. Розроблена та апробована технологія кристалізації нанорозмірних активних областей GaAs/InAs/AlGaAs для оптоелектронних гетероструктур. Виготовлені експериментальні зразки епітаксійних гетероструктур з брегівськими дзеркалами, нанорозмірними активними областями для оптоелектронних приладів та квантово-розмірними активними областями для НВЧ приладів. Створена інфраструктура технологічної дільниці на базі установки MOCVD D-180LDM для випробування нанотехнологій формування квантово-розмірних та нанорозмірних об'єктів, що застосовуються для виробництва приладових гетероепітаксійних структур на основі твердих розчинів А3В5. Опис продукції Створена технологічна дільниці газофазної епітаксії МОС-гідридної епітаксії на базі установки MOCVD D-180LDM та проведені випробування нанотехнологій формування квантово-розмірних та нанорозмірних об'єктів, що застосовуються для виробництва приладових гетероепітаксійних світлодіодних, лазерних, фотодіодних та HEMPT структур на основі твердих розчинів А3В5. Автори роботи Васильев Л.А. Горін А.В. Горін С.В. Горіна В.П. Доценко А.М. Завалішин В.О. Карпінський К.Б. Корчагін Ю.Д. Круковський С.І. Ляхова Н.М. Ляхова Н.О. Мержвинський А.О. Мержвинський П.А. Муричев Г.М. Олійник А.В. Ориховський Б.Г. Панна О.А. Парфенюк П.В. Пилатюк О.Є. Попов А.В Сипало О.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити