Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001398, 0113U001490 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення плазмової технології осадження наноструктурованих шарів нітридів алюмінію та бору для захисту поверхні НВЧ приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Заяць Микола Сергійович, Дата реєстрації 10-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В результаті виконання IV-етапу проекту були виготовлені експериментальні зразки напівпровідникових наноструктур з шарами AlN, GaN, BN та a-C:H:N, які формувались трьома способами: методом магнетронного розпилення відповідних мішеней, методом хімічного осадження метал-органічних сполук із парової фази та методом плазмово-стимульованого осадження з газової фази Розроблені та впроваджені методики комплексних досліджень закономірностей технологічних процесів осадження вище означених плівок з необхідними структурними, оптичними та електричними властивостями для їх практичного використання в сучасних електронних та оптоелектронних приладах. Проведені випробування виготовлених експериментальних зразків на предмет деградаційної стійкості їх параметрів в залежності від температури, радіації тощо. Опис продукції оригінальна технологія отримання наноструктурованих шарів AlN та BN і шаруватих структур на їх основі з параметрами, які є не гіршими або перевищують парметри відомих з літератури аналогів, про які відомо з літератури. Автори роботи В.Б. Лозінський В.Г. Бойко М.І. Клюй М.С. Заяць Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити