Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001441, 0111U006452 , Науково-дослідна робота Назва роботи 1.Розробка фізико-технологічних основ виготовлення компонентів наноелектронних АЗN-приладів для оптоелектроніки та НВЧ-техніки Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 17-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу В 2013 році продовжені дослідження по оптимізації ростових параметрів для отримання структурно досконалих нітридних епітаксійних шарів методом газової епітаксії із металорганічних сполук та молекулярно-променевої епітаксії. Досліджені ефекти саморозігріву AlGaN/GaN HEMT-структур при прикладанні електричних полів з використанням комплексу оптичних методів діагностики. Встановлена залежність температури HEMT-структур від прикладеної напруги. Проведена адаптація Х-променевих методик для аналізу параметрів багатошарових структур із складною гексагональною граткою. Розроблені методичні основи картографування оберненого простору. Розвинута методика розрахунку карт оберненого простору для симетричних та асиметричних рефлексів при наявності в кристалі дислокацій різного типу. Представлені результати показали, що розроблений метод числового розрахунку кутового розподілу рентгенівського розсіяння може бути використаний для кількісного рентгено-дифракційного аналізу деформаційного стану систем з нитковидних нанокристалів різної форми та орієнтації. Опис продукції При дослідженні ефектів саморозігріву AlGaN/GaN HEMT-структур при прикладанні електричних полів з використанням комплексу оптичних методів діагностики встановлена залежність температури HEMT-структур від прикладеної напруги. Проведена адаптація Х-променевих методик для аналізу параметрів багатошарових структур із складною гексагональною граткою. Розроблені методичні основи картографування оберненого простору. Розвинута методика розрахунку карт оберненого простору для симетричних та асиметричних рефлексів при наявності в кристалі дислокацій різного типу. Автори роботи Кладько Василь Петрович Конакова Раїса Василівна Кочелап Вячеслав Олександрович Стрільчук Віктор Васильович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити