Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001752, 0110U006027 , Науково-дослідна робота Назва роботи Дослідження плазмон-фононнних коливань в напівпровідникових наноструктурах в умовах сильних електричних струмів Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-05-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Створено новий нанокомпозитний матеріал «метал-напівпровідник» (Au/por InP) на основі квазівпорядкованих пористих шарів напівпровідника InP шляхом впровадження шляхетних металів в його пори та композити «метал-діелектрик» (Au/por SiO2/Si) на основі пористої матриці SiO2 на кремнії методом термічного осадження золота з подальшим відпалом структури. Для композиту «метал-напівпровідник» розроблено два способи впровадження металу: у вигляді вже готових наночастинок і методом електрохімічного осадження з розчину солі металу. Мікроскопічні дослідження (СЕМ) показали, що частинки золота в створених композитах локалізовані частково на поверхні, в матриці пористого SiO2 частинки є також поблизу дна пор, а напівпровідникові пори декоровані частинками діаметром 5-30 нм на глибину до 1 мкм. Оптичні властивості виготовлених композитних матеріалів досліджено в спектральній області існування плазмонних збуджень та плазмон-фононних поляритонів. Ефективнішим способом дослідження поверхневих плазмон-фононних взаємодій виявився метод порушеного повного внутрішнього відбивання (ATR). Також була розроблена технологія, що включає комбінацію анодного та хімічного травлень, яка дозволила створити пористі шари GaAs, придатні для виготовлення бар’єрів Шотткі. Діоди Au/porGaAs з пористим шаром показали фоточутливість не гіршу, а в деяких випадках кращу ніж у відповідних зразках з плоским інтерфейсом. Були проведені дослідження оптичних властивостей пористих шарів Au/por SiO2/Si та Al2O3. Такі властивості розглянутої плазмонної структури можуть бути використані для реєстрації, збудження та підсилення терагерцових сигналів. Крім того, ефект підсилення локального поля в ближній зоні робить можливим спостереження різноманітних нелінійних ефектів в порівняно слабких зовнішніх електромагнітних полях. З використанням конфокальної мікро-КРС спектроскопії встановлено розподіл концентрації вільних носіїв заряду по глибині та в вздовж площини сколу n++/n0/n++-GaN діодної структури, що необхідно враховувати при розробці технології виготовлення приладних Ганн-діодних структур з вертикальним дизайном. Для створення пористих шарів напівпровідників А3В5 була розроблена технологія електрохімічного травлення монокристалів n-типу (GaAs, InP та GaP) в водних та спиртових розчинах кислот. Мікроскопічні дослідження показали, що пористі шари на основі InP мають найбільш досконалу структуру і їх можна розглядати як квазіперіодичні впорядковані структури. Також було досліджено оптичні властивості композитів SnO2/SiO2 на основі пористого кремнію. Опис продукції Плазмонні наноструктури для використання в якості генераторів ТГц і суб-ТГц випромінювання Автори роботи Дмитрук М.Л. Кладько В.П. Корбутяк Д.В. Кочелап В.А. Стрельчук В.В. Юхимчук В.О. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити