Реєстраційний номер
0214U001867,
0112U004024
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук
Дата реєстрації
12-09-2014
Організація виконавець
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України
Опис етапу
Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт.
Опис продукції
Світлодіодні структури AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 отримані методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару.
Автори роботи
Бєляєв О.Є.
Кость Я.Я.
Круковський Р.С.
Круковський С.І.
Михащук Ю.С.
Мрихін І.О.
Назаренкова Т.І.
Наумов А.В.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
