Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001867, 0112U004024 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій виробництва гетероепітаксіальних квантоворозмірних світлодіодних структур на основі InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії з металоорганічних сполук з енергетичною ефективністю понад 80 Лм/Вт Назва етапу роботи Керівник роботи Бєляєв Олександр Євгенович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 12-09-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Оптимізовано технологічний процес формування світлодіодних структур AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару, що в сукупності забезпечило досягнення їх енергетичної ефективності більшої від 80 Лм/Вт. Опис продукції Світлодіодні структури AlGaN/InGaN/GaN/Al2O3 отримані методом газофазної епітаксії із металоорганічних сполук, з якісними гетерограницями Inх2Ga1-х2N/p-AlхGa1-хN, p-AlхGa1-хN/p-GaN та морфологією поверхні контактного шару. Автори роботи Бєляєв О.Є. Кость Я.Я. Круковський Р.С. Круковський С.І. Михащук Ю.С. Мрихін І.О. Назаренкова Т.І. Наумов А.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити