Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U001983, 0114U001753 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення технологій створення нанорозмірних германієвих cтруктур на підкладках GaAs та Si для виготовлення на їх основі електронних приладів Назва етапу роботи Керівник роботи Шварц Юрій Михайлович, Дата реєстрації 16-12-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На основі методу термічного осадження германію у вакуумі розроблені технології формування нанорозмірних германієвих структур на підкладках GaAs і Si для створення на їх основі електронних приладів. Розроблені і запатентовані спосіб виготовлення і конструкція нанотерморезістора. Розроблено двохстадійний метод термічного осадження у вакуумі нанорозмірних плівок Ge-Si і GexSi1-x з x = 0.5 на підкладках Si. Опис продукції Для виготовлення плівок застосовували робочі режими: робочий вакуум в камері - не гірше (2- 5) 10-6 Тор; швидкість випаровування плівки Ge - 0,1-50 нм/с; температура підкладки GaAs - 200-600 град. С; температура підкладки Si - 200-1000 град.С; похибка виміру температури підкладки - ±5 оС. Питомі опори підкладок GaAs складали 107 Ом см, а підкладок Si - 20 Ом см. Товщина одержаних плівок Ge складала від 10 нм до 450 нм. Тип провідності плівок - р. Кристалічна структура плівок - полікристал, текстура, монокристал. Розроблена технологія базується на використанні технологічної базі та сировинних ресурсів України. Автори роботи Борблик В.Л. Фонкіч О.М. Шварц М.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити