Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U002373, 0111U000480 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка фізичних принципів радіаційних технологій модифікації властивостей кремнієвих кристалічних, аморфних і композитних матеріалів. Назва етапу роботи Керівник роботи Неймаш Володимир Борисович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 29-01-2014 Організація виконавець Інститут фізики НАН України Опис етапу Вплив іонізуючої радіації та легування домішками ІV групи на електрофізичні, оптичні та структурні параметри кристалічного і аморфного станів кремнію, а також їх нанокомпозитів досліджено з точки зору застосування у нових технологіях виготовлення матеріалів з актуальними властивостями. Встановлено, що електронне опромінення може суттєво стимулювати відпал ним же створених радіаційних дефектів. Побудовано модель механізму впливу температури на ефективність генерації вільних вакансій за рахунок взаємодії "гарячих" атомів з акустичними та оптичними фононами. Оцінено поперечний переріз такої взаємодії і пояснено механізм фононних втрат енергії. На основі аналізу результатів експериментальних досліджень впливу температури та інтенсивності іонізуючого опромінення на кінетику накопичення радіаційних дефектів у монокристалах Si розроблено фізичні засади нової радіаційної технології управління параметрами Si та приладів на його основі шляхом потужного електронного опромінення при Т = 450-520С. Нова технологія дозволяє суттєво збільшити часову і температурну стабільність параметрів радіаційно модифікованих приладів на основі Si. Досліджено вплив легування домішками Sn та С, а також термічних обробок і опромінення релятивістськими електронами на трансформацію Si із аморфного у кристалічний стан. Показано, що легування оловом знижує температуру початку кристалізації аморфних Si і SiOx на 450С і 200С відповідно. В результаті утворюються аморфно-кристалічні нано-композити з домінантним розміром кристалів кремнію 3-5 нм в матриці аморфного Si і 6-9 нм в аморфному SiO2. Запропоновано механізм індукованої оловом нанокристалізації аморфного кремнію. Розроблено фізичні принципи технології управління фазовим станом і шириною забороненої зони плівкового кремнію для приладів фотоелектричного перетворення енергії шляхом формування нано-розмірних частинок кристалічного Si у матриці аморфних сплавів елементів ІV групи та їх модифікації тепловими і радіаційними обробками. Розроблена технологія виготовлення плівкового нанокремнію для сонячних елементів значно дешевше існуючих і дозволяє використання гнучких полімерних підкладок. Отримані зразки нових тонко плівкових аморфних і аморфно-кристалічних матеріалів на основі Si, з шириною забороненої зони змінюваною в межах 1.1 - 1,6 еВ. Опис продукції Принципи технології виготовлення електронних приладів на основі кремнію, що відрізняється застосуванням високотемпературного опромінення інтенсивним потоком релятивістських електронів для підвищення стабільності параметрів. Принципи технології управління шириною забороненої зони плівкового кремнію для сонячних батарей шляхом формування нано-частинок кристалічного Si у матриці аморфних сплавів елементів ІV групи та їх модифікації тепловими і радіаційними обробками. Автори роботи Войтович Василь Васильович Довгалюк Руслан Олексійович Колосюк Андрій Григорович Красько Микола Миколайович Неймаш Володимир Борисович Поварчук Василь Юрієвич Рогуцький Іван Станіславович Яроцький Василь Іванович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити