Реєстраційний номер
0214U002551,
0111U001005
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Низькотемпературне одержання плівок карбіду кремнію з заданими властивостями для електроніки і оптоелектроніки
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Семенов Олександр Володимирович,
Дата реєстрації
16-01-2014
Організація виконавець
Інститут монокристалів НАН України
Опис етапу
Досліджені температурні залежності електропровідності плівок нанокристалічного SiC різного політипного складу, фотолюмінесценцію в плівках 3C-SiC політипа та вплив граничних областей між нанокристалами на неї. Вивчені початкові теплофізичні умови росту Sic плівок на підкладках при температурі~800гр.С в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію. а також особливості зміни структури та електрофізичних властивостей плівок3C-SiC політипу при лазерній обробці пікосекундними імпульсами (355 нм) з потужністю до 1,5 Вт
Опис продукції
Досліджено температурні залежності електропровідності плівок нанокристалічного SiC різного політипного складу, фотолюмінесценцію в плівках 3C-SiC політипа та вплив граничних областей між нанокристалами на неї. Вивчені початкові теплофізичні умови росту плівок на підкладках при температурі ~800гр.С в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію, а також вивчено особливості зміни структури та електрофізичних властивостей плівок 3C-SiC політипу при лазерній обробці пікосекундними імпульсами (355 нм) з потужністю до 1,5 Вт
Автори роботи
Лопін Олександр Володимирович
Пузіков Вячеслав Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
