Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U002551, 0111U001005 , Науково-дослідна робота Назва роботи Низькотемпературне одержання плівок карбіду кремнію з заданими властивостями для електроніки і оптоелектроніки Назва етапу роботи Керівник роботи Семенов Олександр Володимирович, Дата реєстрації 16-01-2014 Організація виконавець Інститут монокристалів НАН України Опис етапу Досліджені температурні залежності електропровідності плівок нанокристалічного SiC різного політипного складу, фотолюмінесценцію в плівках 3C-SiC політипа та вплив граничних областей між нанокристалами на неї. Вивчені початкові теплофізичні умови росту Sic плівок на підкладках при температурі~800гр.С в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію. а також особливості зміни структури та електрофізичних властивостей плівок3C-SiC політипу при лазерній обробці пікосекундними імпульсами (355 нм) з потужністю до 1,5 Вт Опис продукції Досліджено температурні залежності електропровідності плівок нанокристалічного SiC різного політипного складу, фотолюмінесценцію в плівках 3C-SiC політипа та вплив граничних областей між нанокристалами на неї. Вивчені початкові теплофізичні умови росту плівок на підкладках при температурі ~800гр.С в умовах прямого осадження іонів вуглецю і кремнію, а також вивчено особливості зміни структури та електрофізичних властивостей плівок 3C-SiC політипу при лазерній обробці пікосекундними імпульсами (355 нм) з потужністю до 1,5 Вт Автори роботи Лопін Олександр Володимирович Пузіков Вячеслав Михайлович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити