Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U002906, 0113U001835 , Науково-дослідна робота Назва роботи Керування сцинтиляційними параметрами оксидних і халькогенідних кристалів легуванням. Назва етапу роботи Керівник роботи Масалов Андрій Олександрович, Дата реєстрації 31-01-2014 Організація виконавець Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України Опис етапу У процесі виконання цієї роботи були вирощені кристали вольфраматів цинку ZnWO4, кристали вольфраматів цинку, активовані іонами молібдену ZnWO4:Mo і кристали вольфраматів цинку, активовані іонами самарію ZnWO4:Sm. Досліджено їх люмінесцентні та сцинтиляційні характеристики. Двома різними методами (CVD і "хімічним" методом) отримані нанокристали ZnSe в порах SiO2 матриці. Показано, що температурне гасіння дефектної смуги люмінесценції в нанокристалах ZnSe слабше, ніж в об'ємних кристалах і істотно залежить від розміру нанокристала. Опис продукції У процесі виконання роботи були вирощені кристали вольфраматів цинку ZnWO4; кристали вольфраматів цинку, активовані іонами молібдену ZnWO4:Mo і кристали вольфраматів цинку, активовані іонами самарію ZnWO4:Sm. Досліджено їх люмінесцентні та сцинтиляційні характеристики. Двома методами (CVD і "хімічним" методом) отримано нанокристали ZnSe в порах SiO2 матриці. Показано, що температурне гасіння дефектної смуги люмінесценції в нанокристалах ZnSe слабше, ніж в об'ємних кристалах і істотно залежить від розміру нанокристала. Автори роботи Беспалова І.І. Вягін О.Г. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити