Реєстраційний номер
0214U003347,
0113U002967
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
"Дослідження особливостей формування каскадних гетероструктур нового покоління на основі складних азотовміщуючих сполук А3В5 методом МОС-гідридної епітаксії"
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
29-01-2014
Організація виконавець
Науково-виробниче підприємство "Карат"
Опис етапу
Проведено дослідження технологічних режимів формування структурно досконалих епітаксійних шарів твердих розчинів InGaAsN різного складу методом МОС-гідридної епітаксії. Виготовлено експериментальні зразки епітаксійних структурна основі складних азотовміщуючих сполук А3В5.
Опис продукції
Досліджено технологічні режими формування структурно досконалих епітаксійних шарів твердих розчинів InGaAsN різного складу методом МОС-гідридної епітаксії та розроблено технологію нарощування каскадних гетероструктур на основі сполук А3В5 з азотвміщуючими фотокомірками. Розроблено базовий технологічний процес кристалізації високоефективних каскадних гетероструктур (ARC)nGaP/GaAs/Inх2Gaх2-1Asy2Ny2-1/Inх1Gaх1-1Asy1Ny1-1/Ge, здатних працювати при високих ступенях концентрації сонячного світла (500-1000 сонць), який дозволить промисловий випуск епітаксійних каскадних гетероструктур нового покоління, що забезпечить Україну епітаксійними структурами власного виробництва, конкурентноздатними на світовому ринку.
Автори роботи
Іжнін І.І.
Балюк Л.М.
Генега Н.Я.
Готра З.Ю.
Кость Я.Я.
Круковський Р.С.
Круковський С.І.
Михащук Ю.С.
Мрихін І.О.
Притуляк Б.Б.
Рейкін Б.О.
Сиворотка Н.Я.
Тимчишин В.Р.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
