Реєстраційний номер
0214U003348,
0112U005322
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Розроблення гетероструктур на основі AllnGaAsP з активними наношарами для високоефективних червоних та оранжевих світлодіодів з використанням МОС-гідридної технології та впровадження їх у виробництво
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Круковський Семен Іванович,
Дата реєстрації
29-01-2014
Організація виконавець
Науково-виробниче підприємство "Карат"
Опис етапу
Розроблено технологію виготовлення гетероструктур на основі AllnGaAsP з активними наношарами для високоефективних червоних та оранжевих світлодіодів з використанням МОС-гідридної технології та впроваджено їх у виробництво. Виготовлено партію гетероструктур AlInGaAsP/AlInP .
Опис продукції
Розроблено промислову технологію виготовлення гетероструктур на основі AlInGaAsP з активними наношарами для високоефективних червоних та оранжевих світлодіодів з використанням МОС-гідридної технології та впроваджено їх у виробництво, що дозволить забезпечити електронну промисловість України епітаксійними наногетероструктурами з високою стабільністю довжини хвилі генерації, високою деградаційною стійкістю та високою потужністю випромінювання. .
Автори роботи
Іжнін О.І.
Балюк Л.М.
Готра З.Ю.
Круковський Р.С.
Круковський С.І.
Михащук Ю.С.
Мрихін І.О.
Притуляк Б.Б.
Рейкін Б.О.
Сиворотка Н.Я.
Тимчишин В.Р.
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
