Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U003524, 0112U001288 , Науково-дослідна робота Назва роботи Моделювання пристроїв і матеріалів наноелектроніки з використанням технологій розподілених та паралельних обчислень. Назва етапу роботи Керівник роботи Болеста Іван Михайлович, Дата реєстрації 05-02-2014 Організація виконавець Львівський національний університет імені Івана Франка Опис етапу Досліджені математичні моделі матеріалів і пристроїв наноелектроніки та великі масиви растрової інформації. Визначено взаємозв'язок між структурою фрактальних кластерів та їхніми оптичними спектрами. Створена програмна реалізація FTDT методу для розрахунку полів і спектрів поглинання при проходженні електромагнітної хвилі через середовище, що містить композитні матеріали. Досліджені провідні мережі, утворені в діелектричній матриці, заповненій нанотрубками. Розроблені алгоритми і програми для визначення фрактальних розмірностей у нанорозмірних метал-діелектричних композитах по їхніх мікроскопічних зображеннях. Наведена реализация проекту обробки великих об'ємівграфічної інформації з використанням систем управління розподіленими обчисленнями BOINC і Condor. Опис продукції Спосіб вимірювання товщин нанорозмірних об'єктів за яким сканують як підкладку, так і самий об'єкт, визначають товщину як різницю між висотою плівки та підкладки, який відрізняється тим, що параметри нерівностей підкладки визначають на області, що відповідає підкладці, а застосовують для всього зображення, віднімають від кожної точки зображення висоту, що відповідає моделі поверхні підкладки, отримують дві області зображення, що відповідають підкладці та об'єкту, будують розподіл точок зображення за висотою та визначається товщину об'єкту як відстань між центрами максимумів в розподілі. Автори роботи Болеста Іван Михайлович Карбовник Іван Дмитрович Колич Ігор Іванович Колкевич Антоніна Олександрівна Кушнір Олексій Олександрович Шувар Ромн Ярославович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити