Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U005123, 0112U008358 , Науково-дослідна робота Назва роботи Створення напівпровідникових шарів на неорієнтуючих підкладках та підкладках з розвиненою поверхнею шляхом вакуумного термічного напилення та відпалу Назва етапу роботи Керівник роботи Баганов Євген Олександрович, Дата реєстрації 06-02-2014 Організація виконавець Херсонський національний технічний університет Опис етапу Розроблена математична модель, та побудований комп'ютерний алгоритм що дозволяє розрахувати температурні умови на фронті кристалізації та за відомою необхідною часовою залежністю температури на фронті кристалізації визначати потрібні часові залежності температури і потужності нагрівача для забезпечення цих умов на практиці. Проведені розрахунки температур кварцової підкладки та розчину-розплаву в залежності від температури печі та випаровувача, адаптована до процесу методика розрахунку товщин аморфних шарів, що напилюються. Проведено тестові експерименти з отримання полікристалічних шарів запропонованою методикою на базі установки установки УВР-3М, показана наявність полікристалічної структури, що, у свою чергу, доводить можливість використання методики для вирощування полікристалічних шарів сполук А3В5 на неорієнтуючих підкладках. Опис продукції Розроблено математичну модель та побудовано комп'ютерний алгоритм що дозволяє розрахувати температурні умови на фронті кристалізації та за відомою необхідною часовою залежністю температури на фронті кристалізації визначати потрібні часові залежності температури і потужності нагрівача для забезпечення цих умов на практиці. Адаптовано до процесу методику розрахунку товщин аморфних шарів, що напилюються. Автори роботи Томілова Владислава Владиславівна Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити