Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U005430, 0110U005722 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розробка методів і комп'ютеризованного обладнання для електрофізичного діагностування елементів нанокристалічної пам'яті Назва етапу роботи Керівник роботи Назаров Олексій Миколайович, Дата реєстрації 27-02-2015 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу РЕФЕРАТ Об'єкт дослідження - гетеросистеми, SiO2(Si)/Si, Si/SiO2/Si, нанокластери, нанокристали, метрологія. Мета роботи - Метою проекту є розробка методів електричного діагностування елементів енергонезалежної нанопам'яті, у яких в діелектрику створений плаваючий затвор, який має вигляд двовимірного шару з нановключень, та створення спеціалізованої діагностичної установки. Створення програмних алгоритмів та програмного забезпечення на їх основі для комп'ютерного керування процесом електрофізичних досліджень на установці. Випробування роботи апаратно-програмного комплексу на тестових зразках МОН енергонезалежної пам'яті з нановключеннями та спеціалізованих транзисторних структурах. За час виконання проекту cтворено апаратну частину експериментальної установки, яка має блочну структуру. Спеціальний підбір апаратних блоків обумовлений необхідністю забезпечення виконання експериментів за напруг програмування комірок пам'яті до 65В в обидві полярності, тривалості імпульсів від 100нс та температур до 400С. Розроблено методику діагностування ширини вікна програмування/стирання структур нанопам'яті з урахуванням необхідності застосування для структур пам'яті з двома і більше двовимірними шарами нановключень в діелектрику. Методики описують порядок діагностики комірок пам'яті при різних режимах програмування, в тому числі одно полярного, та за наявності зовнішніх чинників, таких як: постійне електричне зміщення структури під час експерименту, підігрів зразка та зовнішнє освітлення для генерації електронно-діркових пар в режимі інверсії комірки. Розроблено методику визначення характеристик релаксації заряду в діелектрику комірок при їх перепрограмуванні. Методика дозволяє проводити експеримент по дослідженню швидкодії комірок пам'яті, де враховано присутність підвищених температур та постійного електричного зміщення комірки пам'яті. Для підвищення точності результату запропоновано змінну періодичність вимірювань величини релаксуючого заряду. Розроблено методику дослідження фізичних процесів, відповідальних за збереження інформації у комірках пам'яті з плином часу. Методика описує процес вимірювання змін заряду в діелектрику комірки пам'яті з мінімальним впливом процесу вимірювання за зарядовий стан комірки, що є особливо важливо для отримання об'єктивного результату при дослідженні приладів пам'яті з нановключеннями. На основі представлених методик поетапно побудовано алгоритми та створене програмне забезпечення на базі ліцензованого програмного пакету National Instruments LabView, який забезпечує просте тиражування установки та кросплатформенність комп'ютерного обладнання. Програмне забезпечення має дружній для користувача інтерфейс і дозволяє гнучко налаштовувати режими вимірювань, порядок обробки виміряних даних та їх накопичення для спрощення і пришвидшення аналізу. Виконане апаратне дооснащення та модифікація програмного забезпечення для забезпечення можливості прискореного діагностування ширини вікна програмування/стирання, збереження інформації у комірках з плином часу, визначення релаксаційних характеристик запису заряду у комірках пам'яті при перепрограмуванні за підвищених температур та напруг зміщення. Методика прискореної діагностики дозволяє значно скоротити час вимірювань, які є тривалими і часто складають понад одну годину. Виконане поетапне опробовування правильності методик та роботи установки на робочих комірках нанокристалічної енергонезалежної пам'яті з одним і двома шарами нанокластерів в діелектрику. Отримані нові наукові результати, які дозволяють більш глибоко і інформативно діагностувати ємності комірки енергонезалежної пам'яті. Результати опубліковані в міжнародній наукових журналах і були представлені на вітчизняних та міжнародних конференціях; метод діагностування діелектричних шарів поданий для отримання патенту. КРЕМНІЙ, ГЕТЕРОСТРУКТУРИ, НАНОКЛАСТЕРИ, НАНОКРИСТАЛИ, ДІАГНОСТИКА, NVM. Опис продукції Розробка методів електричного діагностування елементів енергонезалежної нанопам'яті, де в якості плаваючого затвора використовуються кремнієві нановключення і наноструктури, та створення спеціалізованого діагностичного обладнання з оригінальним програмним забезпеченням для електрофізичних досліджень. Розробка алгоритмів таких досліджень, а також випробування Автори роботи Євтух В.А. В.І. Смірная Гоменюк Ю.В. Римаренко Н.Л. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити