Реєстраційний номер
0214U005512,
0111U001021
, Науково-дослідна робота
Назва роботи
Нанорозмірні механізми радіаційно-структурних змін у халькогенідних склоподібних напівпровідниках
Назва етапу роботи
Керівник роботи
Цмоць Володимир Михайлович,
Дата реєстрації
23-01-2014
Організація виконавець
Дрогобицький державний педагогічний університет імені Івана Франка
Опис етапу
Досліджено радіаційно-структурні зміни у потрійних системах халькогенідних склоподібних напівпровідників (ХСН) методами вивчення часового розподілу анігіляційних фотонів (ЧРАФ) та доплерівського розширення анігіляційної лінії (ДРАЛ). Показано, що метод ЧРАФ є обмеженим по точності для вивчення радіаційно-структурні зміни у ХСН, в той час як метод ДРАЛ з використанням алгоритму Gold дозволяє з високою впевненістю виявляти радіаційно-структурні зміни у ХСН. З’ясовано, що для стекол As2S3, Ge9.5As28.6S61.9, Ge15.8As21S63.2 та Ge23.5As11.8S64.7 має місце зменшення концентрації дефектів вільного об’єму (пустот) після гамма-опромінення зразків. Встановлено, що атомно-розмірна модель на основі координаційних дефектів знаходить застосування для стекол підсистеми Ge-S потрійної стехіометричної системи As2S3-GeS2. Для ХСН потрійної нестехіометричної системи As2S3-Ge2S3 радіаційно-структурні зміни, ідентифіковані для стекол підсистеми As-S, є подібними до тих, що спостережено у As2S3.
Опис продукції
Нанорозмірні механізми для спостережуваних радіаційно-структурних змін у потрійних стехіометричних і нестехіометричних системах халькогенідних склоподібних напівпровідників.
Автори роботи
Дубик Оксана Михайлівна
Зайцев Олександр Вадимович
Кавецький Тарас Степанович
Павлюх Наталія Степанівна
Паньків Ігор Степанович
Паньків Людмила Іванівна
Саприкін Юрій Олександрович
Цмоць Володимир Михайлович
Додано/оновлено в НРАТ
2020-04-02
