Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0214U005753, 0112U002159 , Науково-дослідна робота Назва роботи Одержання та властивості нових тетрарних халькогенідів для оптоелектроніки і нелінійної оптики Назва етапу роботи Керівник роботи Олексеюк Іван Дмитрович, Дата реєстрації 28-02-2014 Організація виконавець Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки Опис етапу Об'єкт дослідження - системи утворені складними халькогенідами, які використовуються у оптоелектроніці та нелінійній оптиці. Мета роботи - визначити спектр нових речовин, які володіють перспективними характеристиками для можливого використання у різноманітних галузях оптоелектроніки та нелінійної оптики. Методи дослідження - класичні методи фізико-хімічного аналізу (ДТА, РФА, МСА), вирощування кристалів, РФС, ГДГ. Вивчено фазові рівноваги у квазіпотрійних системах Tl2X-Hg(Pb)X-DIVX2 при 520 K. Побудовано діаграми фазових рівноваг політермічних перерізів TlInX2-SnX2, AgGaGe3Se8-AgInGeSe4, AgGaGe3Se8-"AgGaSi3Se8" і AgGaGe3Se8-"AgGaSn3Se8" i Ag0,5Pb1,75GeS4-Ag0,5Pb1,75GeSe4. Вперше знайдено 12 нових тетрарних сполук, для 7 із яких розшифровано кристалічну структуру. Рентгенівським методом встановлено механізм утворення твердих розчинів Tl1-xIn1-xSnxS2, Tl1-xIn1-xSnxSe2, AgxGaxGe1-xSe2 та твердих розчинів на основі AgGaGe3Se8. Одержано монокристали AgGaGeS4, AgCd2GaS4, Ag0,5Pb1,75GeS4, Ag2In2SiS6, Ag2In2GeS6, AgxGaxGe1-xSe2 і твердих розчинів на основі AgGaGe3Se8, Ag0,5Pb1,75GeS3Se, Tl1-xIn1-xSnxS2 (x=0; 0,1; 0,2; 0,3; 0,4; 0,5) i Tl1-xIn1-xSnxSe2 (x=0; 0,1; 0,2; 0,25) та та вивчено їх оптичні, нелінійно-оптичні, електричні та фотоелектричні властивості. За допомогою РФС розраховано електронну структуру ряду сполук. Результати НДР можуть бути використані для впровадження у виробництво технології одержання монокристалів ряду сполук та їх використанню у оптоелектронних та нелінійно-оптичних приладах. Прогнозні припущення щодо розвитку об'єкта дослідження - розробка технології одержання монокристалів ряду інших тетрарних халькогенідів. Опис продукції В монокристалах AgGaGeS4, AgxGaxGe1-xSe2, AgCd2GaS4 показано принципову роль атомів срібла в одержаних стимульованих лазером спектрах. Дослідження фото індукованої абсорбції світла в районі власного поглинання показали, що ці кристали володіють повністю реверсивними фото індукованими змінами параметрів, що дозволяє використовувати їх для оптичного запису інформації. Було встановлено принципові відмінності у зміні основних оптичних параметрів (лінійних та нелінійно-оптичних коефіцієнтів) в залежності від довжини хвилі лазера, його поляризації та потужності. Автори роботи Горгут Г.П. Данильчук С.П. Кітик І.В. Когут Ю.М. Козер В.Р. Мозолюк М.Ю. Піскач Л.В. Панкевич В.З. Парасюк О.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити
НДДКР ОК
Керівник: Олексеюк Іван Дмитрович. Одержання та властивості нових тетрарних халькогенідів для оптоелектроніки і нелінійної оптики. (Етап: ). Східноєвропейський національний університет імені Лесі Українки. № 0214U005753
Знайдено документів: 1
Підписка
Повний текст наразі ще відсутній.
Повідомити вам про надходження повного тексту?
Повідомити вам про надходження повного тексту?
Оновлено: 2026-03-15
