Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U005881, 0110U005591 , Науково-дослідна робота Назва роботи Комплексний проект: Механізми формування наноструктур на основі шаруватих напівпровідників А3В6. Назва етапу роботи Керівник роботи Ковалюк Захар Дмитрович, Дата реєстрації 26-12-2014 Організація виконавець Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича Національної академії наук України Опис етапу Мета роботи - формування та дослідження наноструктурованих поверхонь шаруватих кристалів GaSe і InSe термічним окисленням, інтеркаляцією і опроміненням високоенергетичними електронами. Методом АСМ досліджена топологія як неокислених, так і окислених поверхонь шаруватих кристалів GaSe і InSe. Виявлено, що поверхня оксиду має наноструктурований характер, а її об'єктами виступають наноголки, наностовпи та наноострівці. Створення власних оксидів на поверхні шаруватих кристалів дає можливість створювати гетеропереходи nIn2O3 - pInSe, nIn2O3 - pIn4Se3 з високими фотоелектричними параметрами. Вперше отримано і досліджено властивості механічно відлущених наношарів InSe, показано, що квантоворозмірні ефекти сильно проявляються в наношарах товщиною декілька нанометрів. Розроблена технологія інтеркаляції з розплаву сегнетоелектриків KNO3 і RbNO3 в шаруваті матриці InSe і GaSe. В результаті формуються наноструктурні матеріали, в яких на нанорозмірному рівні чергуються напівпровідникові шари з прошарками впровадження інших речовин. Підкладки InSe і GaSe можна використовувати для створення і дослідження нанорозмірних об'єктів за допомогою їх опроміненн явисокоенергетичними частинками і параметри цих об'єктів будуть залежати від енергії, дози і типу опромінення. Опис продукції На основі нанокопозитного матеріалу GaSe<RbNO3> створено накопичувач електричної енергії з питомою віддаваною енергією 105,4 КДж/кг, діапазон робочих напруг 50 - 200 В, інтервал робочих температур -40 – +50 С. Розроблено нанокомпозитний фотоконденсатор на основі GaSe<KNO3>, питома ємність якого (10-2 - 2х10о) Ф/см2, коефіцієнт перекриття по освітленню - 10 2. Автори роботи Б.В. Кушнір Катеринчук В.М.. Кудринський З.Р. Мінтянський І.В. Нетяга В.В. Савицький П.І. Товарницький М.В. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити