Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006200, 0112U006102 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні характеристикиі проблеми діагностики нанодротових та атомарнотонких польових приладів на основі алмазу, кремнію і графену Назва етапу роботи Керівник роботи Мачулін Володимир Федорович, Дата реєстрації 18-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Об'єкт дослідження - ултратонкоплівкові кремнієві транзистори, кремній на ізоляторі, FinFETs, нанодротові кремнієві транзистори, графени. Мета роботи - Метою проекту є дослідження фундаментальних характеристик одно- і двовимірних нанотранзисторів на основі гетероструктур на ізоляторі і вплив на них нанорозмірних ефектів, в тому числі, вплив розмірного квантування, розробка методів електричної і оптичної діагностики таких приладів і структур. На першому етапі роботи були досліджені: ефект зарядового зв'язка в супертонких (15-10 нм) слабо легованих кремнієвих каналах КНІ МДН польових транзисторів; рухливість носіїв заряду в багатозатворних приладах типу FinFET з шириною ребра до 20 нм; ефекти захоплення заряду на енергетично мілкі пастки в перехідному шарі діелектриків з високою діелектричною сталою (таких як LaSiOx і GdSiOx) і на локальні центри в двоокису кремнію на тунельній відстані від кремнієвого каналу в нанодротових польових приладах стандартного типу (інверсної моди провідності) і новітнього типу - без перехідних нанодротових транзисторів. Була розроблена аналітична модель зарядового зв'язку у супертонких слабо легованих кремнієвих каналах КНІ МДН транзисторах з урахуванням квантових ефектів, яка добре відповідає чисельним розрахункам. Була побудована теоретична модель антигестирезисного ефекту в опорі графенового шару, розміщеного на сегнетоелектричну підкладку. Опис продукції Автори роботи Лисенко В.С. Мачулін В.Ф. Назаров О.М. Руденко Т.О. Русавський А.В. Смирна В.І. Стріха М.В. Тягульский І.П. Тягульский С.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити