Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006201, 0112U006102 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фундаментальні характеристикиі проблеми діагностики нанодротових та атомарнотонких польових приладів на основі алмазу, кремнію і графену Назва етапу роботи Керівник роботи Мачулін Володимир Федорович, Дата реєстрації 18-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу На другому етапі роботи були продовжені дослідження захоплення заряду в перехідних шарах діелектриків з високою діелектричною сталою (LaLuO3) і їх порівняння зі структурами SiO2-Si; був проведений аналіз фізичних критеріїв і розробка моделей визначення порогової напруги в нанотранзисторах з нелегованим каналом, а також нових фізично обґрунтованих методів експериментального визначення порогової напруги в нанотранзисторах і напруги плоских зон у нанодротових безперехідних транзисторах; був розроблений метод визначення рухливості носіїв заряду у нанодротових транзисторах інверсної моди з використанням вольт-амперних характеристик приладу і залежності амплітуди телеграфного шуму струму стоку від напруги на затворі; була розроблена нова технологія синтезу графенових шарів з твердого джерела і визначені їх структурні характеристики, а також розроблена теорія анізотропії провідності у двохшаровому графеновому шарі. КРЕМНІЙ НА ІЗОЛЯТОРІ, УЛЬТРАТОНКОПЛІВКОВІ СТРУКТУРИ, НАНОДРОТИ, Опис продукції Найбільшу увагу було приділено дослідженню впливу товщини кремнієвого шару і впливу квантово-розмірного ефекту об'ємної інверсії в двохзатворних структурах на рухливість носіїв. Зокрема, було знайдено, що при високих щільностях носіїв заряду, коли домінує розсіяння на шорсткості поверхні, рухливість носіїв є відносно нечутливою до товщини кремнієвого шару, тоді як в області низької щільності носіїв, де домінують механізми фононного і кулонівського розсіяння, в структурах з надтонкими шарами кремнію (<15-10 нм) зменшення товщини шару призводить до зменшення рухливості носіїв. Також було знайдено підвищення рухливості носіїв в структурах з надтонкими шарами кремнію в двохзатворних структурах порівняно з однозатворними. Автори роботи Лисенко В.С. Мачулін В.Ф. Назаров О.М. Руденко Т.О. Русавський А.В. Смирна В.І. Стріха М.В. Тягульский І.П. Тягульский С.І. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити