Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006230, 0111U006258 , Науково-дослідна робота Назва роботи Фізичні основи процесів формування напівпровідникових наноструктур для пристроїв електроніки і фотоніки Назва етапу роботи Керівник роботи Скришевський Валерій Антонович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 19-02-2014 Організація виконавець Київський національний університет імені Тараса Шевченка Опис етапу Запропоновано та детально обґрунтовано використання методу штучних нейронних мереж для обробки сигналів РСГР (релаксаційна спектроскопія глибоких рівнів) у випадку одного глибокого рівня у напівпровідникових структурах. Визначено режими, в яких можуть працювати запам'ятовуючі прилади на основі GaAs/AlGaAs, в яких шари квантових точок розташовані в безпосередній близькості до каналу з високою рухливістю. Запропоновано базову структуру на основі кремнієвого p-n переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні для створення ефективних хімічних сенсорів. Запропоновано універсальний термоелектричний датчик, який можна використовувати для вимірювань швидкості та витрат рідини в стаціонарному та в імпульсному режимах. Виявлено від'ємну диференційну ємність на вольтфарадній характеристиці МДН (метал-діелектрик-напівпровідник) структур з нанокомпозитною плівкою SiO2 (Si) в якості діелектрика в режимі акумуляції приповерхневої області напівпровідника. Показано, що за допомогою технологічних параметрів осадження GaAs і температури підкладки Si можна створювати системи квантових точок для приладів оптоелектроніки. Опис продукції Обгрунтовано метод використання штучної нейронної мережі для обробки сигналів РСГР. Визначено режими, в яких можуть працювати запам'ятовуючі прилади на основі транзисторних структур з шарами квантових точок InAs поблизу каналу з високою рухливістю GaAs/AlGaAs. Обгрунтовано можливість використання базової структури на основі кремнієвого p-n переходу з зустрічними гребінчатими контактами на тильній поверхні для створення хімічних сенсорів та показано, що модифікація поверхні Si пористим Si сприяє селективності та чутливості сенсорів. Розроблено релаксаційний датчик імпульсного типу з частотним перетворенням сигналу. На основі запропонованої математичної моделі виконано моделювання основних метрологічних характеристик термоелектричного датчика витрат води з елементом Пельтьє в якості чутливого елемента. Виявлено ефект накопичення електричного заряду в нанокомпозитних SiO2 (Si) плівках, отриманих методом іонно-плазмового розпилення за допомогою вольтфарадних характеристик МДН структур та запропоновано фізич Автори роботи Іванов Іван Іванович Ільченко Володимир Васильович Вербицький Володимир Григорович Гаврильченко Ірина Валеріївна Евтух Анатолій Антонович Козинець Олексій Володимирович Кузнецов Геннадій Васильович Литвиненко Сергій Васильович Мілованов Юрій Сергійович Манілов Антон Ігоревич Марін Володимир Володимирович Опилат Віталій Яковлевич Скришевський Валерій Антонович Усенко Володимир Олексійович Циганова Ганна Іскаківна Шкавро Анатолій Григорович Шулімов Юрій Григорович Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити