Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006367, 0112U000772 , Науково-дослідна робота Назва роботи Отримання плівок широкозонних напівпровідників методом хімічного осадження Назва етапу роботи Керівник роботи Опанасюк Надія Миколаївна, Дата реєстрації 13-03-2014 Організація виконавець Сумський державний університет Опис етапу Шляхом хімічного осадження з розчину ZnSO4, (NH4OH), CS(NH2)2 були отримані плівки ZnO різної товщини. Встановлена залежність структурних та субструктурних властивостей конденсатів від тривалості їх осадження та кількості тіамочевини у вихідному розчині. Показано, що ріст тонких шарів відбувався шляхом утворення нановолокон, що мають форму шестикутних призм та ростуть перпендикулярно до поверхні підкладки, з наступним зарощуванням проміжків між нановолокнами пластинчастими кристалітами. Показано, що плівки мають гексагональну структуру з періодом гратки, що зменшується при збільшенні їх товщини від а = 0,37601 нм, с = 0,57079 нм до а = 0,33408 нм та с = 0,50714 нм. Опис продукції Наукові результати отримані у роботі мають велику ступінь новизни. Це повязано з тим, що плівки оксиду цинку отримані хімічним осадженням з розчину можуть бути використані як базовий матеріалу для створення світловипромінюючих діодів, електронно-променевих трубок, приладів електролюмінесценції, газових сенсорів та ін. Автори роботи Ігнатенко В.М. Бересток Т.О. Доброжан О.А. Дяченко О.В. Курбатов Д.І. Манжос О.П. Нефедченко В.Ф. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити