Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0214U006702, 0110U004738 , Науково-дослідна робота Назва роботи Розроблення та розвиток сертифікованих методик мас-спектроскопічної діагностики наноматеріалів, наноструктур та аморфних сплавів Назва етапу роботи Керівник роботи Романюк Борис Миколайович, Доктор фізико-математичних наук Дата реєстрації 10-02-2014 Організація виконавець Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України Опис етапу Вивчено розподіл елементів та домішок в багатошарових періодичних структурах Мо/Si та надмілких p-n переходах методами малокутової ренгенівської дифракції, атомно-силової мікроскопії та мас-спектрометрії пост-іонізованих нейтральних часток. Моделювання спектрів дифракції багатошарових структур та порівняння їх з експериментальними результатами показали, що на границях розділу фаз формується силіцид молібдену. Вимірювання розподілу домішок по товщині підтвердили наявність шарів силіциду на границях розділу фаз, а також виявлено шари оксидів та проведено оцінки їх товщин. Показано, що критичним параметром від якого залежить роздільна здатність методу мас-спектрометрії нейтральних часток є енергія іонів плазми при розпиленні досліджуваних зразків. Знайдено оптимальні режими розпилення структур при пошаровому мас-спектрометричному аналізі, які дозволили отримати роздільну здатність методу по глибині не гірше 1 нм. Показано, що роздільна здатність цього методу обмежується формою та шорсткістю дна кратеру при іонному розпиленні і залежить від режимів розпилення. Вивчено можливості використання моно- і кластерних іонів різних знаків. Це дозволило реєструвати не лише атомарні, але й кластерні іони, що надає можливість отримати інформацію про структуру та типи хімічних зв'язків досліджуваного об'єкта, розширити перелік елементів (компонентів), які реєструються і підвищити чутливість та роздільну здатність по глибині мас-спектрометричного аналізу. Результати мас-спектрометричних досліджень добре узгоджуються з даними по рентгенівській дифрактометрії. Розроблено та атестовано методику вимірювання товщинного розподілу елементного складу та товщини багатошарових твердотільних покритів методом мас-спектрометрії вторинних нейтральних часток. Опис продукції Вивчено розподіл елементів та домішок в багатошарових періодичних структурах Мо/Si та надмілких p-n переходах методами малокутової ренгенівської дифракції, атомно-силової мікроскопії та мас-спектрометрії пост-іонізованих нейтральних часток. Моделювання спектрів дифракції багатошарових структур та порівняння їх з експериментальними результатами показали, що на границях розділу фаз формується силіцид молібдену. Вимірювання розподілу домішок по товщині підтвердили наявність шарів силіциду на границях розділу фаз, а також виявлено шари оксидів та проведено оцінки їх товщин. Показано, що критичним параметром від якого залежить роздільна здатність методу мас-спектрометрії нейтральних часток є енергія іонів плазми при розпиленні досліджуваних зразків. Знайдено оптимальні режими розпилення структур при пошаровому мас-спектрометричному аналізі, які дозволили отримати роздільну здатність методу по глибині не гірше 1 нм. Показано, що роздільна здатність цього методу обмежується формою та шорсткістю дна кратеру при Автори роботи Мельник В.П. Мусаєв С.М. Оберемок О.С. Попов В.Г. Романюк Б.М. Хацевич І.М. Додано в НРАТ 2020-04-02 Закрити